Siemens SFH485P Datasheet

GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm)
GaAIAs Infrared Emitter (880 nm)

Area not flat

0.8

5.0

4.2

0.4

3.85

3.35

1.0

0.5

Chip position

0.6

0.4

spacing

2.54 mm

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

1.8

1.2
29

27

ø5.1

ø4.8

Cathode

5.9

5.5

0.6

0.4

GEX06306

SFH 485 P

fex06306

Wesentliche Merkmale

● GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt

im Schmelzepitaxieverfahren

● Enge Toleranz: Chipoberfläche/

Bauteiloberkante

● Gute spektrale Anpassung an

Si-Fotoempfänger

● Sehr plane Oberfläche

● Gehäusegleich mit SFH 217

Anwendungen

● Lichtschranken für Gleich- und

Wechsellichtbetrieb bis 500 kHz

● LWL

Typ
Type

Bestellnummer
Ordering Code

Gehäuse
Package

Features

● GaAIAs infrared emitting diode, fabricated in

a liquid phase epitaxy process

● Small tolerance: Chip surface to case

surface

● Good spectral match to silicon

photodetectors

● Plane surface

● Same package as SFH 217

Applications

● Light-reflection switches for steady and

varying intensity (max. 500 kHz)

● Fibre optic transmission

SFH 485 P Q62703-Q516 5-mm-LED-Gehäuse, plan, klares violettes Epoxy-

Gießharz, Lötspieße im 2.54-mm-Raster (1/10’’),
Anodenkennzeichnung: kürzerer Anschluß

5 mm LED package (T 13/4), plane violet-colored
transparent epoxy resin, solder tabs lead spacing

2.54 mm (1/10’’), anode marking: short lead.

Semiconductor Group 1 1998-06-26

Grenzwerte (TA = 25 °C)
Maximum Ratings

SFH 485 P

Bezeichnung
Description

Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range

Sperrschichttemperatur
Junction temperature

Sperrspannung
Reverse voltage

Durchlaßstrom
Forward current

Stoßstrom, τ≤ 10 µs
Surge current

Verlustleistung
Power dissipation

Wärmewiderstand, freie Beinchenlänge
max. 10 mm
Thermal resistance, lead length between
package bottom and PC-board max. 10 mm

Symbol
Symbol

T

; T

op

stg

T

j

V

R

I

F

I

FSM

P

tot

R

thJA

Wert
Value

Einheit
Unit

– 55 ... + 100 °C

100 °C

5V

100 mA

2.5 A

200 mW

375 K/W

Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics

Bezeichnung
Description

Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission

I

= 100 mA

F

Spektrale Bandbreite bei 50 % von I

I

= 100 m A

F

Spectral bandwidth at 50 % of I

max

Abstrahlwinkel
Half angle

Aktive Chipfläche
Active chip area

Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip area

Abstand Chipoberfläche bis
Gehäusevorderseite
Distance chip front to case surface

max

Symbol
Symbol

λ

peak

,

∆λ 80 nm

Wert
Value

Einheit
Unit

880 nm

ϕ±40 Grad

deg.

A

L × B

× W

L
H

0.16 mm

0.4 × 0.4 mm

0.5 ... 1 mm

2

Semiconductor Group 2 1998-06-26