Siemens SFH484, SFH484-1, SFH484-2, SFH485, SFH485-2 Datasheet
GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm)
GaAIAs Infrared Emitters (880 nm)
Area not flat
0.6
0.4
0.8
spacing
2.54 mm
Approx. weight 0.5 g
1.8
1.2
29
27
Area not flat
9.0
8.2
7.8
7.5
0.5
5.7
5.1
Chip position
Cathode
ø5.1
ø4.8
5.9
5.5
0.6
0.4
GEX06271
SFH 484
SFH 485
0.6
0.4
0.8
spacing
2.54 mm
Approx. weight 0.5 g
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
1.5
29
27
9.0
8.2
7.8
7.5
0.5
4.8
4.2
Chip position
Wesentliche Merkmale
● Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren
● Hohe Zuverlässigkeit
● Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfänger
● SFH 484: Gehäusegleich mit LD 274
● SFH 485: Gehäusegleich mit SFH 300,
Cathode
ø5.1
ø4.8
5.9
5.5
0.6
0.4
GEX06305
Features
● Fabricated in a liquid phase epitaxy process
● High reliability
● Spectral match with silicon photodetectors
● SFH 484: Same package as LD 274
● SFH 485: Same package as SFH 300,
SFH 203
SFH 203
fex06305 fex06271
Anwendungen
● IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Lichtdimmern
● Gerätefernsteuerungen für Gleich- und
Applications
● IR remote control of hi-fi and TV-sets, video
tape recorders, dimmers
● Remote control for steady and varying
intensity
Wechsellichtbetrieb
Semiconductor Group 1 1997-11-01
SFH 484
SFH 485
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehäuse
Package
SFH 484 Q62703-Q1092 5-mm-LED-Gehäuse (T 1
SFH 484-1 Q62703-Q1755
Gießharz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (1/10’’),
Anodenkennzeichung: kürzerer Anschluß
SFH 484-2 Q62703-Q1756
SFH 485 Q62703-Q1093
SFH 485-2 Q62703-Q1547
5 mm LED package (T 13/4), violet-colored epoxy resin, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10’’), anode
marking: short lead
Grenzwerte (TA = 25 °C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
Wert
Value
– 55 ... + 100 °C
Operating and storage temperature range
Sperrschichttemperatur
T
j
100 °C
Junction temperature
Sperrspannung
V
R
5V
Reverse voltage
3
/4), klares violettes Epoxy-
Einheit
Unit
Durchlaßstrom
Forward current
t
Stoßstrom,
= 10 µs, D = 0
p
Surge current
Verlustleistung
Power dissipation
Wärmewiderstand, freie Beinchenlänge
max. 10 mm
Thermal resistance, lead length between
package bottom and PC-board max. 10 mm
I
I
P
R
F
FSM
tot
thJA
100 mA
2.5 A
200 mW
375 K/W
Semiconductor Group 2 1997-11-01
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