Siemens SFH483E7800 Datasheet
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAlAs Infrared Emitter
SFH 483
ø0.45
spacing
2.54 mm
Anode
Cathode (SFH 483)
Approx. weight 0.5 g
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
14.5
12.5
(LD 242, BPX 63, SFH 464)
Wesentliche Merkmale
● GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode mit hohem
Wirkungsgrad
● Die Anode ist galvanisch mit dem
Gehäuseboden verbunden
● Hohe Impulsbelastbarkeit
● Hohe Zuverlässigkeit
● Anwendungsklasse nach DIN 40040 GQG
● Gehäusegleich mit BPX 63, BP 103, LD 242,
2.7
3.6
3.0
Chip position
ø4.1
ø4.3
0.9
1.1
1.1
ø5.5
ø5.2
1
0.9
GET06625
Features
● Highly efficient GaAlAs LED
● Anode is electrically connected to the case
● High pulse power
● High reliability
● DIN humidity category in acc. with
DIN 40040 GQG
● Same package as BPX 63, BP 103, LD 242,
SFH 464
SFH 464
fet06625
Anwendungen
● IR-Fernsteuerungen und Tonübertragungen
● Lichtschranken für Gleich- und
Applications
● IR remote controls and sound transmission
● Photointerrupter
Wechsellichtbetrieb
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehäuse
Package
SFH 483 E7800 Q62703-Q1090 18 A3 DIN 41870 (TO-18), Bodenplatte, klares Epoxy-
Gießharz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (
1
/10’’)
18 A3 DIN 41870 (TO-18), clear epoxy resin, lead
spacing 2.54 mm (1/10’’)
Semiconductor Group 1 1997-11-01
Grenzwerte
Maximum Ratings
SFH 483
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Sperrspannung
Reverse voltage
Vorwärtsgleichstrom,
T
C
≤ 25 °C
Forward current
t
Stoßstrom,
= 10 µs, D = 0, TC = 25 °C
p
Surge current
T
Verlustleistung,
= 25 °C
C
Power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
T
j
V
R
I
F
I
FSM
P
tot
R
thJA
R
thJC
Wert
Value
Einheit
Unit
– 40 ... + 80 °C
100 °C
5V
200 mA
2.5 A
470 mW
450
160
K/W
K/W
Kennwerte (
T
= 25 °C)
A
Characteristics
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
= 100 mA
F
Spektrale Bandbreite bei 50 % von
Spectral bandwidth at 50 % of I
I
= 100 mA
F
Abstrahlwinkel
1)
I
max
Half angle
Aktive Chipfläche
Active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip area
Abstand Gehäuserückseite bis
Chipoberfläche
Distance chip front to case back
max
Symbol
Symbol
λ
peak
Wert
Value
Einheit
Unit
880 nm
∆λ 80 nm
ϕ±23 Grad
deg.
A
L × B
L
× W
H
0.16 mm
0.4 × 0.4 mm
2.7 ... 2.9 mm
2
Semiconductor Group 2 1997-11-01
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