NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
Chip position
0.2
4.8
4.4
2.7
2.5
0.3
0.1
notActive area
connected
0.5
0.3
EmitterCollector
0.0
0.9
1.1
2.1
GEO06953
0.55
1.1
0.7
0.3
0.8
1.0
0.6
SFH 3400
1.9
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
● Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 460 nm bis 1080 nm
● Hohe Linearität
● SMT-Bauform ohne Basisanschluß,
geeignet für Vapor Phase-Löten und
IR-Reflow-Löten (JEDEC level 4)
● Nur gegurtet lieferbar
Anwendungen
● Umgebungslicht-Detektor
● Lichtschranken für Gleich- und Wechsel-
lichtbetrieb
● Industrieelektronik
● „Messen/Steuern/Regeln“
Features
● Especially suitable for applications from
460 nm to 1080 nm
● High linearity
● SMT package without base connection,
suitable for vapor phase and IR reflow
soldering (JEDEC level 4)
● Available only on tape and reel
Applications
● Ambient light detector
● Photointerrupters
● Industrial electronics
● For control and drive circuits
Semiconductor Group 1 1998-04-27
SFH 3400
Typ
Type
SFH 3400 Q62702-P1796 Klares Epoxy-Gieβharz, Kollektorkennzeichung:
SFH 3400-2 Q62702-P1103
SFH 3400-3 Q62702-P1805
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bestellnummer
Ordering Code
Gehäuse
Package
breiter Anschluß
Transparent epoxy resin, collector marking: broad
lead
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
Kollektor-Emitterspannung,
t
< 120 s
Collector-emitter voltage
Kollektorstrom
Collector current
Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs
Collector surge current
Emitter-Kollektorspannung
Emitter-collector voltage
Verlustleistung, T
= 25 °C
A
Total power dissipation
Wärmewiderstand für Montage auf PC-Board
Thermal resistance for mounting on pcb
Symbol
Symbol
; T
T
op
stg
V
CE
V
CE
I
C
I
CS
V
EC
P
tot
R
thJA
Wert
Value
– 40 ... + 85
Einheit
Unit
o
C
20 V
70 V
50 mA
100 mA
7V
120 mW
450 K/W
Semiconductor Group 2 1998-04-27