Siemens SFH3400, SFH3400-2, SFH3400-3 Datasheet

NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor
Chip position
0.2
0.3
0.1
notActive area connected
0.5
0.3
EmitterCollector
0.0
0.9
1.1
2.1
GEO06953
0.55
1.1
0.8
1.0
0.6
SFH 3400
1.9
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 460 nm bis 1080 nm
Hohe Linearität
SMT-Bauform ohne Basisanschluß,
geeignet für Vapor Phase-Löten und IR-Reflow-Löten (JEDEC level 4)
Nur gegurtet lieferbar
Anwendungen
Umgebungslicht-Detektor
Lichtschranken für Gleich- und Wechsel-
lichtbetrieb
Industrieelektronik
„Messen/Steuern/Regeln“
Features
Especially suitable for applications from
460 nm to 1080 nm
High linearity
SMT package without base connection,
suitable for vapor phase and IR reflow soldering (JEDEC level 4)
Available only on tape and reel
Applications
Ambient light detector
Photointerrupters
Industrial electronics
For control and drive circuits
Semiconductor Group 1 1998-04-27
SFH 3400
Typ Type
SFH 3400 Q62702-P1796 Klares Epoxy-Gieβharz, Kollektorkennzeichung:
SFH 3400-2 Q62702-P1103 SFH 3400-3 Q62702-P1805
Grenzwerte Maximum Ratings
Bestellnummer Ordering Code
Gehäuse Package
breiter Anschluß Transparent epoxy resin, collector marking: broad
lead
Bezeichnung Description
Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range
Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage
Kollektor-Emitterspannung,
t
< 120 s
Collector-emitter voltage Kollektorstrom
Collector current Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs
Collector surge current Emitter-Kollektorspannung
Emitter-collector voltage Verlustleistung, T
= 25 °C
A
Total power dissipation Wärmewiderstand für Montage auf PC-Board
Thermal resistance for mounting on pcb
Symbol Symbol
; T
T
op
stg
V
CE
V
CE
I
C
I
CS
V
EC
P
tot
R
thJA
Wert Value
– 40 ... + 85
Einheit Unit
o
C
20 V
70 V
50 mA
100 mA
7V
120 mW
450 K/W
Semiconductor Group 2 1998-04-27
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