Siemens SFH3400, SFH3400-2, SFH3400-3 Datasheet

NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor

Chip position

0.2

4.8

4.4

2.7

2.5

0.3

0.1

notActive area
connected

0.5

0.3

EmitterCollector

0.0

0.9

1.1

2.1

GEO06953

0.55

1.1

0.7

0.3

0.8

1.0

0.6

SFH 3400

1.9

Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Wesentliche Merkmale

● Speziell geeignet für Anwendungen im

Bereich von 460 nm bis 1080 nm

● Hohe Linearität

● SMT-Bauform ohne Basisanschluß,

geeignet für Vapor Phase-Löten und
IR-Reflow-Löten (JEDEC level 4)

● Nur gegurtet lieferbar

Anwendungen

● Umgebungslicht-Detektor

● Lichtschranken für Gleich- und Wechsel-

lichtbetrieb

● Industrieelektronik

● „Messen/Steuern/Regeln“

Features

● Especially suitable for applications from

460 nm to 1080 nm

● High linearity

● SMT package without base connection,

suitable for vapor phase and IR reflow
soldering (JEDEC level 4)

● Available only on tape and reel

Applications

● Ambient light detector

● Photointerrupters

● Industrial electronics

● For control and drive circuits

Semiconductor Group 1 1998-04-27

SFH 3400

Typ
Type

SFH 3400 Q62702-P1796 Klares Epoxy-Gieβharz, Kollektorkennzeichung:

SFH 3400-2 Q62702-P1103
SFH 3400-3 Q62702-P1805

Grenzwerte
Maximum Ratings

Bestellnummer
Ordering Code

Gehäuse
Package

breiter Anschluß
Transparent epoxy resin, collector marking: broad

lead

Bezeichnung
Description

Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range

Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage

Kollektor-Emitterspannung,

t

< 120 s

Collector-emitter voltage
Kollektorstrom

Collector current
Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs

Collector surge current
Emitter-Kollektorspannung

Emitter-collector voltage
Verlustleistung, T

= 25 °C

A

Total power dissipation
Wärmewiderstand für Montage auf PC-Board

Thermal resistance for mounting on pcb

Symbol
Symbol

; T

T

op

stg

V

CE

V

CE

I

C

I

CS

V

EC

P

tot

R

thJA

Wert
Value

– 40 ... + 85

Einheit
Unit

o

C

20 V

70 V

50 mA

100 mA

7V

120 mW

450 K/W

Semiconductor Group 2 1998-04-27