Siemens SFH487P Datasheet
GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm)
GaAIAs Infrared Emitter (880 nm)
SFH 487 P
Area not flat
0.6
0.4
spacing
2.54 mm
Approx. weight 0.3 g
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
1.8
1.2
0.7
29
27
0.4
Wesentliche Merkmale
● GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt
im Schmelzepitaxieverfahren
● Hohe Zuverlässigkeit
● Enge Toleranz: Chipoberfläche/
Bauteiloberkante
● Hohe Impulsbelastbarkeit
● Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfänger
● Sehr plane Oberfläche
● Gehäusegleich mit SFH 309
0.8
0.4
4.5
4.0
Cathode
3.1
2.5
2.0
1.7
3.5
Chip position
ø3.1
ø2.9
4.0
3.6
0.6
0.4
GEX06308
Features
● GaAIAs infrared emitting diode, fabricated in
a liquid phase epitaxy process
● High reliability
● Small tolerance: Chip surface to case
surface
● High pulse handling capability
● Good spectral match to silicon
photodetectors
● Plane surface
● Same package as SFH 309
fex06308
Anwendungen
● Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb bis 500 kHz
● LWL
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehäuse
Package
Applications
● Photointerrupters
● Fibre optic transmission
SFH 487 P Q62703-Q517 3-mm-LED-Gehäuse, plan, klares violettes Epoxy-
Gieβharz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (
1
/10’’),
Anodenkennzeichnung: kürzerer Anschluβ
3 mm LED package (T 1), plane, violet-colored transparent epoxy resin, solder tabs lead spacing 2.54 mm
(1/10’’), anode marking: short lead
Semiconductor Group 1 1997-11-01
Grenzwerte (TA = 25 °C)
Maximum Ratings
SFH 487 P
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Sperrspannung
Reverse voltage
Durchlaβstrom
Forward current
Stoβstrom, τ≤10 µs
Surge current
Verlustleistung
Power dissipation
Wärmewiderstand, freie Beinchenlänge
max. 10 mm
Thermal resistance, lead length between
package bottom and PC-board max. 10 mm
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
T
j
V
R
I
F
I
FSM
P
tot
R
thJA
Wert
Value
Einheit
Unit
– 55 ... + 100 °C
100 °C
5V
100 mA
2.5 A
200 mW
375 K/W
Kennwerte (
T
= 25 °C)
A
Characteristics
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
= 100 mA
F
Spektrale Bandbreite bei 50 % von
I
= 100 mA
F
Spectral bandwidth at 50 % of I
I
max
Abstrahlwinkel
Half angle
Aktive Chipfläche
Active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip area
max
Symbol
Symbol
λ
peak
,
∆λ 80 nm
Wert
Value
Einheit
Unit
880 nm
ϕ±65 Grad
deg.
A
L × B
L
× W
0.16 mm
0.4 × 0.4 mm
2
Semiconductor Group 2 1997-11-01
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