Siemens SFH480-2, SFH480-3, SFH481, SFH481-2, SFH482 Datasheet
...
GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm)
GaAlAs Infrared Emitters (880 nm)
SFH 480
SFH 481
SFH 482
Chip position
ø4.8
ø4.6
5.3
5.0
7.4
6.6
Approx. weight 0.5 g
ø0.45
spacing
2.54 mm
welded
(2.7)
14.5
12.5
Cathode (SFH 480)
Anode
(SFH 216, SFH 231,
SFH 400)
ø0.45
14.5
12.5
(2.7)
Chip position
ø4.8
5.3
5.0
6.4
5.6
glass
lens
spacing
2.54mm
ø4.6
0.9
0.9
1.1
1.1
Radiant
Sensitive area
1.1
0.9
GEO06314
Anode
Cathode
1.1
= SFH 481
= SFH 401
0.9
ø5.6
ø5.3
GET06091
ø5.6
ø5.3
(package)
fet06090fet06091
Approx. weight 0.35 g
5.5
5.0
Chip position
Cathode (SFH 402, BPX 65)
Anode (SFH 482)
Approx. weight 0.5 g
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
(2.7)
ø0.45
14.5
12.5
5.3
5.0
Radiant sensitive area
1.1
0.9
1.1
0.9
ø4.8
ø4.6
ø5.6
ø5.3
2.54
spacing
GET06013
fet06092
Semiconductor Group 1 1998-04-16
SFH 480,
SFH 481, SFH 482
Wesentliche Merkmale
● Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren
● Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden
verbunden
● Hohe Zuverlässigkeit
● Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfänger
● Hermetisch dichtes Metallgehäuse
● SFH 480: Gehäusegleich mit SFH 216
● SFH 481: Gehäusegleich mit BPX 43,
BPY 63
● SFH 482: Gehäusegleich mit BPX 38,
BPX 65
Anwendungen
● Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
● IR-Gerätefernsteuerungen
Features
● GaAIAs infrared emitting diode, fabricated in
a liquid phase epitaxy process
● Anode is electrically connected to the case
● High reliability
● Matches all Si-Photodetectors
● Hermetically sealed package
● SFH 480: Same package as SFH 216
● SFH 481: Same package as BPX 43,
BPY 63
● SFH 482: Same package as BPX 38,
BPX 65
Applications
● Photointerrupters
● IR remote control of various equipmet
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehäuse
Package
SFH 480-2 Q62703-Q1662 18 A3 DIN 41876 (TO-18), Anschlüsse im 2.54-mmSFH 480-3 Q62703-Q1663
Raster (1/10’’), Kathodenkennzeichnung: Nase am Gehäuseboden
SFH 481 Q62703-Q1088
SFH 481-1 Q62703-Q1664
18 A3 DIN 41876 (TO-18), lead spacing 2.54 mm
(1/10’’), cathode marking: projection at package
SFH 481-2 Q62703-Q1665
SFH 482 Q62703-Q1089
SFH 482-1 Q62703-Q1667
SFH 482-2 Q62703-Q1668
SFH 482-3 Q62703-Q1669
SFH 482-M E7800 Q62703-Q2186
Semiconductor Group 2 1998-04-16
Grenzwerte (TC = 25 °C)
Maximum Ratings
SFH 480,
SFH 481, SFH 482
Bezeichnung
Description
SFH 481:
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
SFH 480, SFH 482:
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Sperrspannung
Reverse voltage
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom, tp = 10 µs, D = 0
Surge current
Verlustleistung
Power dissipation
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
T
; T
op
stg
T
j
V
R
I
F
I
FSM
P
tot
Wert
Value
Einheit
Unit
– 55 ... + 100 °C
– 55 ... + 125 °C
100 °C
5V
200 mA
2.5 A
470 mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
= 100 mA
F
Spektrale Bandbreite bei 50 % von I
Spectral bandwidth at 50 % of I
I
= 100 mA
F
max
Abstrahlwinkel
Half angle
SFH 480
SFH 481
SFH 482
Aktive Chipfläche
Active chip area
max
R
thJA
R
thJC
Symbol
Symbol
λ
peak
450
160
Wert
Value
K/W
K/W
Einheit
Unit
880 nm
∆λ 80 nm
ϕ
ϕ
ϕ
A
± 6
± 15
± 30
Grad
deg.
0.16 mm
2
Semiconductor Group 3 1998-04-16
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