GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm)
GaAIAs Infrared Emitters (880 nm)
Chip position
4.5
2.7
2.3
Cathode
spacing
2.54 mm
7.5
5.5
3.7
3.3
14.7
13.1
4.5
3.9
3.9
7.7
7.1
2.05
R
1.95
-0.1...0.1
4.8
4.4
2.7
(3.2)
2.4
6.0
5.4
SFH 4580
SFH 4585
(R2.8)
(3.2)
GEO06960
Chip position
4.5
15.5
14.7
4.5
3.9
3.9
7.7
7.1
R
2.05
1.95
4.8
4.4
2.7
2.4
8.0
7.4
Cathode
spacing
2.54 mm
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
(3.2)
(3.2)
6.0
5.4
-0.15...0..15
(R2.8)
GEO06961
Semiconductor Group 1 1998-11-12
SFH 4580
SFH 4585
esentliche Merkmale
Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren
Für Oberflächenmontage geeignet
Gegurtet lieferbar
Gehäusegleich mit Fotodiode SFH 2500/
SFH 2505
Hohe Zuverlässigkeit
Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfänger
nwendungen
IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Lichtdimmern
Gerätefernsteuerungen für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Features
● Fabricated in a liquid phase epitaxy proces
● Suitable for surface mounting (SMT)
● Available on tape and reel
● Same package as photodiode SFH 2500/
SFH 2505
● High reliability
● Spectral match with silicon photodetectors
Applications
● IR remote control of hi-fi and TV-sets, video
tape recorders, dimmers
● Remote control for steady and varying
intensity
Gehäuse
Package
SFH 4580 on request 5-mm-LED-Gehäuse (T 13/4), klares violettes EpoxySFH 4585 on request
Gießharz, Anschlüsse (SFH 4580 gebogen, SFH 4585
gerade) im 2.54-mm-Raster (1/10’’),Kathodenkennzeichnung: siehe Maßzeichnung.
5 mm LED package (T 13/4), violet-colored epoxy resin, solder tabs (SFH 4580 bent, SFH 4585 straight)
lead spacing 2.54 mm (1/10’’), cathode marking: see
package outline.
Semiconductor Group 2 1998-11-12