Siemens SFH4552, SFH495P Datasheet

GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter

SFH 495 P

SFH 4552

29
27

0.6

spacing

2.54 mm

1.8

1.2

Area not flat

0.6

0.4

spacing

2.54 mm

Cathode (Diode)
Collector (Transistor)

1.8

1.2

29.5

27.5

0.4

0.8

0.8

3.85

3.35

0.4

5.0

4.2

0.4

Chip positionArea not flat

6.9

6.1

5.7

5.5

4.0

3.4
Chip position

Anode

ø5.1

ø4.8

ø5.1

ø4.8

5.9

5.5

0.6

0.4

GEX06971

5.9

5.5

0.6

0.4

GEX06630

fex06971

feo06652

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Wesentliche Merkmale

● Stimulierter Emitter mit sehr hohem

Wirkungsgrad

● Laserdiode in diffusem Gehäuse

● Besonders geeignet für Impulsbetrieb bei

hohen Strömen

● Hohe Zuverlässigkeit

● Gegurtet lieferbar

Anwendungen

● Datenübertragung

● Fernsteuerungen

● „Messen, Steuern, Regeln“

Features

● Stimulated emitter with high efficiency

● Laser diode in diffuse package

● Suitable esp. for pulse operation at high

current

● High reliability

● Available on tape and reel

Applications

● Data transfer

● Remote controls

● For drive and control circuits

Semiconductor Group 1 1998-09-18

SFH 495 P

SFH 4552

Typ
Type

Bestellnummer
Ordering Code

Gehäuse
Package

SFH 495 P Q62703-Q7891 5-mm-LED-Gehäuse (T 13/4), plan, schwarz eingefärbt,

2.54-mm-Raster,
Kathodenkennzeichnung: kürzerer Anschluß

5 mm LED package (T 13/4), flat, black colored,
spacing 2.54 mm, cathode marking: short lead.

SFH 4552 Q62702-P5054 5-mm-LED-Gehäuse (T 13/4), plan, weiß diffus eingefärbt,

2.54-mm-Raster,
Kathodenkennzeichnung: kürzerer Anschluß

5 mm LED package (T 13/4), flat, white diffuse colored,
spacing 2.54 mm, cathode marking: short lead.

Grenzwerte (TA = 25 °C)
Maximum Ratings

Bezeichnung
Description

Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range

Sperrspannung

Symbol
Symbol

T

stg

T

op

V

R

Wert
Value

– 40 ... + 85

Einheit
Unit

°C

0 ... + 85
1V

Reverse voltage
Stoßstrom, tp = 200 µs, D = 0

Surge current
Verlustleistung

Power dissipation
Wärmewiderstand

Thermal resistance

Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics

Bezeichnung
Description

Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission

I

= 200 mA, tp = 20 ms

F

Spektrale Bandbreite bei 50 % von I
Spectral bandwidth at 50 % of I

I

= 200 mA

F

max

max

I

FSM

P

tot

R

thJA

Symbol
Symbol

λ

peak

1A

160 mW

450 K/W

Wert
Value

Einheit
Unit

940 nm

∆λ 4nm

Semiconductor Group 2 1998-09-18