GaAs-IR-Lumineszenzdioden (950 nm)
GaAs Infrared Emitters (950 nm)
Chip position
4.5
2.7
2.3
7.5
5.5
3.7
3.3
14.7
13.1
3.9
2.05
R
1.95
-0.1...0.1
4.8
4.4
2.7
(3.2)
2.4
6.0
5.4
SFH 4510
SFH 4515
(R2.8)
(3.2)
GEO06968
spacing
2.54 mm
Cathode/
Collector
spacing
2.54 mm
Cathode/
Collector
4.5
3.9
7.7
7.1
Chip position
4.5
8.0
7.4
3.9
15.5
14.7
4.5
3.9
7.7
7.1
2.05
1.95
SFH 4510
2.7
2.4
4.4
4.8
-0.15...0.15
SFH 4515
(3.2)
(R2.8)R
(3.2)
6.0
5.4
GEO06969
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Semiconductor Group 1 1998-11-12
SFH 4510
SFH 4515
esentliche Merkmale
Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren
Für Oberflächenmontage geeignet
Gegurtet lieferbar
Gehäusegleich mit Fotodiode SFH 2500/
SFH 2505 und Fototransistor SFH 3500/
SFH 3505
Hohe Zuverlässigkeit
Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfänger
nwendungen
IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Lichtdimmern
Gerätefernsteuerungen für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Features
● Fabricated in a liquid phase epitaxy proces
● Suitable for surface mounting (SMT)
● Available on tape and reel
● Same package as photodiode SFH 2500/
SFH 2505 and phototransistor SFH 3500/
SFH 3505
● High reliability
● Spectral match with silicon photodetectors
Applications
● IR remote control of hi-fi and TV-sets, video
tape recorders, dimmers
● Remote control for steady and varying
intensity
Gehäuse
Package
SFH 4510 Q62702-P1798 5-mm-LED-Gehäuse (T 13/4), schwarzes EpoxySFH 4515 Q62702-P1821
Gießharz, Anschlüsse (SFH 4510 gebogen, SFH 4515
gerade) im 2.54-mm-Raster (1/10’’),Kathodenkennzeichnung: siehe Maßzeichnung.
5 mm LED package (T 13/4), black-colored epoxy resin, solder tabs (SFH 4510 bent, SFH 4515 straight)
lead spacing 2.54 mm (1/10’’), cathode marking: see
package outline.
Semiconductor Group 2 1998-11-12