Siemens SFH420, SFH425 Datasheet

GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package
SFH 420 SFH 425
3.0
2.6
2.3
2.1
3.0
3.4
0.8
0.6
Cathode/Collector marking Approx. weight 0.03 g
(2.4)
2.8
2.4
2.54
Cathode/ Collector
Collector/Cathode marking
spacing
2.4
1.1
0.9
Anode/ Emitter
(typ)
0.1
3.3
3.7
1.1
0.18
0.12 Cathode/Collector
4.2
3.8
0.7
0.5
2.1
1.7
0.9
0.7
GPL06724
(2.85)
0.6
0.4
GPL06880
SFH 420 TOPLED
fpl06724fpl06867
(2.9)
(R1)
4.2
3.8
3.8
3.4
SFH 425 SIDELED
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
Gute Linearität (I
= f [IF]) bei hohen Strömen
e
Impulsbetrieb möglich
Hohe Zuverlässigkeit
Hohe Impulsbelastbarkeit
Oberflächenmontage geeignet
Gegurtet lieferbar
SFH 420 Gehäusegleich mit SFH 320/421
SFH 425 Gehäusegleich mit SFH 325/426
SFH 425: Nur für IR-Reflow-Lötung geeignet.
Bei Schwallötung wenden Sie sich bitte an uns.
Features
Very highly efficient GaAs-LED
Good Linearity (I
= f [IF]) at high currents
e
DC (with modulation) or pulsed operations
are possible
High reliability
High pulse handling capability
Suitable for surface mounting (SMT)
Available on tape and reel
SFH 420 same package as SFH 320/421
SFH 425 same package as SFH 325/426
SFH 425: Suitable only for IR-reflow
soldering. In case of dip soldering, please contact us first.
Semiconductor Group 1 1997-11-01
SFH 420 SFH 425
Anwendungen
Miniaturlichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb, Lochstreifenlaser
Industrieelektronik
“Messen/Steuern/Regeln”
Typ Type
SFH 420 SFH 425
Bestellnummer Ordering Code
Q62702-P1690 Q62702-P0330
Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings
Bezeichnung Description
Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range
Applications
Miniature photointerrupters
Industrial electronics
For drive and control circuits
Gehäuse Package
Kathodenkennzeichnung: abgesetzte Ecke cathode marking: bevelled edge TOPLED SIDELED
Symbol Symbol
T
; T
op
stg
Wert Value
– 55 ... + 100 °C
Einheit Unit
Sperrschichttemperatur Junction temperature
Sperrspannung Reverse voltage
Durchlaßstrom Forward current
Stoßstrom, τ = 10 µs,
D = 0
Surge current Verlustleistung
Power dissipation Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung bei
Montage auf FR4 Platine, Padgröße je 16 mm
2
Thermal resistance junction - ambient mounted on PC-board (FR4), padsize 16 mm2 each Wärmewiderstand Sperrschicht - Lötstelle bei Montage auf Metall-Block Thermal resistance junction - soldering point, mounted on metal block
T
V
I
I
P
R
R
j
R
F
FSM
tot
thJA
thJS
100 °C
5V
100 mA
3A
160 mW
450
200
K/W
K/W
Semiconductor Group 2 1997-11-01
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