GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse
GaAs Infrared Emitter in SMT Package
SFH 420
SFH 425
3.0
2.6
2.3
2.1
3.0
3.4
0.8
0.6
Cathode/Collector marking
Approx. weight 0.03 g
(2.4)
2.8
2.4
2.54
Cathode/
Collector
Collector/Cathode marking
spacing
2.4
1.1
0.9
Anode/
Emitter
(typ)
0.1
3.3
3.7
1.1
0.18
0.12
Cathode/Collector
4.2
3.8
0.7
0.5
2.1
1.7
0.9
0.7
GPL06724
(2.85)
0.6
0.4
GPL06880
SFH 420 TOPLED
fpl06724fpl06867
(2.9)
(R1)
4.2
3.8
3.8
3.4
SFH 425 SIDELED
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
● GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
● Gute Linearität (I
= f [IF]) bei hohen Strömen
e
● Gleichstrom- (mit Modulation) oder
Impulsbetrieb möglich
● Hohe Zuverlässigkeit
● Hohe Impulsbelastbarkeit
● Oberflächenmontage geeignet
● Gegurtet lieferbar
● SFH 420 Gehäusegleich mit SFH 320/421
SFH 425 Gehäusegleich mit SFH 325/426
● SFH 425: Nur für IR-Reflow-Lötung geeignet.
Bei Schwallötung wenden Sie sich bitte an uns.
Features
● Very highly efficient GaAs-LED
● Good Linearity (I
= f [IF]) at high currents
e
● DC (with modulation) or pulsed operations
are possible
● High reliability
● High pulse handling capability
● Suitable for surface mounting (SMT)
● Available on tape and reel
● SFH 420 same package as SFH 320/421
SFH 425 same package as SFH 325/426
● SFH 425: Suitable only for IR-reflow
soldering. In case of dip soldering, please
contact us first.
Semiconductor Group 1 1997-11-01
SFH 420
SFH 425
Anwendungen
● Miniaturlichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb, Lochstreifenlaser
● Industrieelektronik
● “Messen/Steuern/Regeln”
Typ
Type
SFH 420
SFH 425
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P1690
Q62702-P0330
Grenzwerte (TA = 25 °C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Applications
● Miniature photointerrupters
● Industrial electronics
● For drive and control circuits
Gehäuse
Package
Kathodenkennzeichnung: abgesetzte Ecke
cathode marking: bevelled edge
TOPLED
SIDELED
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
Wert
Value
– 55 ... + 100 °C
Einheit
Unit
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Sperrspannung
Reverse voltage
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom, τ = 10 µs,
D = 0
Surge current
Verlustleistung
Power dissipation
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung bei
Montage auf FR4 Platine, Padgröße je 16 mm
2
Thermal resistance junction - ambient mounted on
PC-board (FR4), padsize 16 mm2 each
Wärmewiderstand Sperrschicht - Lötstelle bei
Montage auf Metall-Block
Thermal resistance junction - soldering point,
mounted on metal block
T
V
I
I
P
R
R
j
R
F
FSM
tot
thJA
thJS
100 °C
5V
100 mA
3A
160 mW
450
200
K/W
K/W
Semiconductor Group 2 1997-11-01