Siemens SFH415, SFH415-T, SFH415-U, SFH416-R Datasheet
GaAs-IR-Lumineszenzdioden
GaAs Infrared Emitters
Cathode
SFH 415
SFH 416
29
27
1.8
1.2
spacing
2.54mm
0.6
0.4
Area not flat
Chip position
Approx. weight 0.2 g
0.6
0.4
spacing
2.54 mm
Cathode (Diode)
Collector (Transistor)
Approx. weight 0.4 g
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
1.8
1.2
29.5
27.5
0.4
Area not flat
0.8
0.4
9.0
8.2
7.8
7.5
0.8
4.8
4.2
6.9
6.1
5.7
5.5
4.0
3.4
Chip position
ø5.1
ø4.8
ø5.1
ø4.8
5.9
5.5
0.6
0.4
GEO06645
5.9
5.5
0.6
0.4
GEX06630
fexf6626
fex06630
Wesentliche Merkmale
● GaAs-IR-Lumineszenzdioden, hergestellt
im Schmelzepitaxieverfahren
● Gute Linearität (I
● Sehr hoher Wirkungsgrad
● Hohe Zuverlässigkeit
● Hohe Impulsbelastbarkeit
● SFH 415: Gehäusegleich mit SFH 300,
= f [IF]) bei hohen Strömen
e
SFH 203
Anwendungen
● IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Lichtdimmern
● Gerätefernsteuerungen
Features
● GaAs infrared emitting diodes, fabricated in
a liquid phase epitaxy process
● Good linearity (I
● High efficiency
● High reliability
● High pulse handling capability
● SFH 415: Same package as SFH 300,
= f [IF]) at high currents
e
SFH 203
Applications
● IR remote control of hi-fi and TV-sets, video
tape recorders, dimmers
● Remote control of various equipment
Semiconductor Group 1 1997-11-01
SFH 415
SFH 416
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehäuse
Package
SFH 415 Q62702-P296 5-mm-LED-Gehäuse (T 1
SFH 415-T Q62702-P1136
schluß im 2.54-mm-Raster (1/10’’),
Kathodenkennzeichnung: kürzerer Anschluß
SFH 415-U Q62702-P1137
SFH 416-R Q62702-P1139
5 mm LED package (T 13/4), black-colored epoxy resin
lens, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10’’), cathode
marking: short lead
Grenzwerte (TA = 25 °C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
Wert
Value
– 55 ... + 100 °C
Operating and storage temperature range
Sperrschichttemperatur
T
j
100 °C
Junction temperature
Sperrspannung
V
R
5V
Reverse voltage
3
/4), schwarz eingefärbt, An-
Einheit
Unit
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom,
t
= 10 µs, D = 0
p
Surge current
Verlustleistung
Power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
I
I
P
R
F
FSM
tot
thJA
100 mA
3A
165 mW
450 K/W
Semiconductor Group 2 1997-11-01
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