Siemens SFH405 Datasheet

GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter

SFH 405

1.15

1)

0.90

0.5

0.4

1) Detaching area for tools,
flash not true to size.

Approx. weight 0.02 g

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Wesentliche Merkmale

● GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im

Schmelzepitaxieverfahren

● Hohe Zuverlässigkeit

● Hohe Strahlstärke

● Hohe Impulsbelastbarkeit

● Gruppiert lieferbar

● Gehäusegleich mit SFH 305

2.84

2.24

0...5˚

2.1

1.5

2.54 spacing

2.7

2.5

2.5

3.0

3.2

3.6

3.5

3.0

Collector (SFH 305)
Cathode (SFH 405)

GEO06137

Features

● GaAs infrared emitting diode, fabricated in a

liquid phase epitaxy process

● High reliability

● High radiant intensity

● High pulse handling capability

● Available in groups

● Same package as SFH 305

feo06317

Anwendungen

● Miniaturlichtschranken für Gleich- und

Wechsellichtbetrieb

● Lochstreifenleser

● Industrieelektronik

● “Messen/Steuern/Regeln”

Typ
Type

Bestellnummer
Ordering Code

Gehäuse
Package

Applications

● Miniature photointerrupters

● Punched tape-readers

● Industrial electronics

● For control and drive ciruits

SFH 405 Q62702-P835 Miniatur-Leiterbandgehäuse, klares Epoxy-Gießharz,

linsenförmig, Anschluß im 2.54-mm-Raster (

1

/10’’),

Kathodenkennzeichnung: abgeschrägte Anschlüsse
Miniature lead frame, transparent epoxy resin, solder

tabs lead spacing 2.54 mm (1/10’’), cathode marking:
bevelled leads

Semiconductor Group 1 1997-11-01

Grenzwerte (TA = 25 °C)
Maximum Ratings

SFH 405

Bezeichnung
Description

Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range

Sperrschichttemperatur
Junction temperature

Sperrspannung
Reverse voltage

Durchlaßstrom
Forward current

Stoßstrom, τ≤10 µs,

D = 0

Surge current
Verlustleistung

Power dissipation
Wärmewiderstand

Thermal resistance

T

Kennwerte (

= 25 °C)

A

Characteristics

Symbol
Symbol

T

; T

op

stg

T

j

V

R

I

F

I

FSM

P

tot

R

thJA

R

thJL

Wert
Value

Einheit
Unit

– 40 ... + 80 °C

80 °C

5V

40 mA

1.6 A

65 mW

950
850

K/W
K/W

Bezeichnung
Description

Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission

I

= 40 mA, tp = 20 ms

F

Spektrale Bandbreite bei 50 % von
Spectral bandwidth at 50 % of I

I

= 40 m A, tp = 20 ms

F

max

I

max

Abstrahlwinkel
Half angle

Aktive Chipfläche
Active chip area

Abmessungen der aktive Chipfläche
Dimension of the active chip area

Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Distance chip surface to lens top

Symbol
Symbol

λ

peak

Wert
Value

Einheit
Unit

950 nm

∆λ 55 nm

ϕ±16 Grad

deg.

A

L × B
L

× W

H

0.25 mm

0.5 × 0.5 mm

1.3 ... 1.9 mm

2

Semiconductor Group 2 1997-11-01