Siemens SFH405 Datasheet
GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter
SFH 405
1.15
1)
0.90
0.5
0.4
1) Detaching area for tools,
flash not true to size.
Approx. weight 0.02 g
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
● GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im
Schmelzepitaxieverfahren
● Hohe Zuverlässigkeit
● Hohe Strahlstärke
● Hohe Impulsbelastbarkeit
● Gruppiert lieferbar
● Gehäusegleich mit SFH 305
2.84
2.24
0...5˚
2.1
1.5
2.54 spacing
2.7
2.5
2.5
3.0
3.2
3.6
3.5
3.0
Collector (SFH 305)
Cathode (SFH 405)
GEO06137
Features
● GaAs infrared emitting diode, fabricated in a
liquid phase epitaxy process
● High reliability
● High radiant intensity
● High pulse handling capability
● Available in groups
● Same package as SFH 305
feo06317
Anwendungen
● Miniaturlichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
● Lochstreifenleser
● Industrieelektronik
● “Messen/Steuern/Regeln”
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehäuse
Package
Applications
● Miniature photointerrupters
● Punched tape-readers
● Industrial electronics
● For control and drive ciruits
SFH 405 Q62702-P835 Miniatur-Leiterbandgehäuse, klares Epoxy-Gießharz,
linsenförmig, Anschluß im 2.54-mm-Raster (
1
/10’’),
Kathodenkennzeichnung: abgeschrägte Anschlüsse
Miniature lead frame, transparent epoxy resin, solder
tabs lead spacing 2.54 mm (1/10’’), cathode marking:
bevelled leads
Semiconductor Group 1 1997-11-01
Grenzwerte (TA = 25 °C)
Maximum Ratings
SFH 405
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Sperrspannung
Reverse voltage
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom, τ≤10 µs,
D = 0
Surge current
Verlustleistung
Power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
T
Kennwerte (
= 25 °C)
A
Characteristics
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
T
j
V
R
I
F
I
FSM
P
tot
R
thJA
R
thJL
Wert
Value
Einheit
Unit
– 40 ... + 80 °C
80 °C
5V
40 mA
1.6 A
65 mW
950
850
K/W
K/W
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
= 40 mA, tp = 20 ms
F
Spektrale Bandbreite bei 50 % von
Spectral bandwidth at 50 % of I
I
= 40 m A, tp = 20 ms
F
max
I
max
Abstrahlwinkel
Half angle
Aktive Chipfläche
Active chip area
Abmessungen der aktive Chipfläche
Dimension of the active chip area
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Distance chip surface to lens top
Symbol
Symbol
λ
peak
Wert
Value
Einheit
Unit
950 nm
∆λ 55 nm
ϕ±16 Grad
deg.
A
L × B
L
× W
H
0.25 mm
0.5 × 0.5 mm
1.3 ... 1.9 mm
2
Semiconductor Group 2 1997-11-01
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