Siemens SFH3401 Datasheet
NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
Chip position
0.2
1.1
1.0
0.3
SFH 3401
4.8
4.4
Active area
0.55
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
0.7
0.3
0.8
0.6
2.7
2.5
Wesentliche Merkmale
● Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 460 nm bis 1080 nm
● Hohe Linearität
● SMT-Bauform mit Basisanschluß, geeignet
für Vapor Phase-Löten und
IR-Reflow-Löten (JEDEC level 4)
● Nur gegurtet lieferbar
0.5
Base
0.3
EmitterCollector
0.1
0.0
0.9
1.1
GEO06973
2.1
1.9
Features
● Especially suitable for applications from
460 nm to 1080 nm
● High linearity
● SMT package with base connection,
suitable for vapor phase and IR reflow
soldering (JEDEC level 4)
● Available only on tape and reel
Anwendungen
● Umgebungslicht-Detektor
● Lichtschranken für Gleich- und Wechsel-
lichtbetrieb
● Industrieelektronik
● „Messen/Steuern/Regeln“
Applications
● Ambient light detector
● Photointerrupters
● Industrial electronics
● For control and drive circuits
Semiconductor Group 1 1998-04-27
SFH 3401
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehäuse
Package
SFH 3401 Q62702-P5014 Klares Epoxy-Gieβharz, Kollektorkennzeichung:
breiter Anschluß
Transparent epoxy resin, collector marking: broad
lead
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Symbol
Symbol
Top; T
stg
Wert
Value
– 40 ... + 85
Einheit
Unit
o
C
Operating and storage temperature range
Kollektor-Emitterspannung
V
CE
20 V
Collector-emitter voltage
Kollektor-Emitterspannung,t< 120 s
V
CE
70 V
Collector-emitter voltage
Kollektorstrom
I
C
50 mA
Collector current
Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs
Collector surge current
Emitter-Kollektorspannung
Emitter-collector voltage
Verlustleistung, TA= 25 °C
Total power dissipation
Wärmewiderstand für Montage auf PC-Board
Thermal resistance for mounting on pcb
I
V
P
R
CS
EC
tot
thJA
100 mA
7V
120 mW
450 K/W
Semiconductor Group 2 1998-04-27
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