Siemens SFH310, SFH310-2, SFH310-3, SFH310FA, SFH310FA-2 Datasheet

SFH 310
SFH 310 FA

Neu: NPN-Silizium-Fototransistor
New: Silicon NPN Phototransistor

spacing

2.54 mm

Collector/
Cathode

Area not flat

0.7

0.4

0.6

1.8

1.2

29.0

27.0

0.4

0.8

0.4

1.1

0.9

4.8

4.4

6.1

5.7

3.7

3.5

2.7

2.1

ø2.9

Chip position

ø2.7

SFH 310
SFH 310 FA

3.4

3.1

0.6

0.4

GEX06710

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified

Wesentliche Merkmale

● Speziell geeignet für Anwendungen im

Bereich von 400 nm bis 1100 nm
(SFH 310) und bei 880 nm (SFH 310 FA)

● Hohe Linearität

● 3 mm-Plastikbauform

Anwendungen

● Lichtschranken für Gleich- und

Wechsellichtbetrieb

● Industrieelektronik

● “Messen/Steuern/Regeln”

Features

● Especially suitable for applications from

400 nm to 1100 nm (SFH 310) and of
880 nm (SFH 310 FA)

● High linearity

● 3 mm plastic package

Applications

● Photointerrupters

● Industrial electronics

● For control and drive circuits

feof6653 feo06653

Semiconductor Group 1 1998-07-13

03.96

SFH 310
SFH 310 FA

Typ
Type

SFH 310
SFH 310-2
SFH 310-3

SFH 310 FA
SFH 310 FA-2
SFH 310 FA-3

Bestellnummer
Ordering Code

Q62702-P874
on request
on request

Q62702-P1673
on request
on request

Grenzwerte
Maximum Ratings

Bezeichnung
Description

Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range

Löttemperatur bei Tauchlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit

t ≤ 5 s

Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time

t ≤ 5 s

Symbol
Symbol

T

; T

op

stg

T

S

Wert
Value

Einheit
Unit

– 55 ... + 100 °C

260 °C

Löttemperatur bei Kolbenlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit

t ≤ 3 s

Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time

t ≤ 3 s

Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage

Kollektorstrom
Collector current

Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs
Collector surge current

Verlustleistung,

T

= 25 °C

A

Total power dissipation
Wärmewiderstand

Thermal resistance

T

S

V

CE

I

C

I

CS

P

tot

R

thJA

300 °C

70 V

50 mA

100 mA

165 mW

450 K/W

Semiconductor Group 2 1998-07-13