NEC Electronics Inc UPA573T Datasheet

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NEC Electronics Inc UPA573T Datasheet

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

μPA573T

P-CHANNEL MOS FET (5-PIN 2 CIRCUITS)

FOR SWITCHING

The μPA573T is a super-mini-mold device provided with two MOS FET circuits. It achieves high-density mounting and saves mounting costs.

FEATURES

Two source common MOS FET circuits in package the same size as SC-70

Directly driven by ICs having a 3 V power supply

Automatic mounting supported

PACKAGE

DIMENSIONS

(in millimeters)

 

 

0.2 –0+0.1

 

0.15

–0.05+0.1

±0.12.1

±0.11.25

 

 

 

0 to 0.1

 

 

 

 

 

 

0.65

0.65

 

0.7

 

0.9

±0.1

 

 

1.3

 

 

 

 

 

 

 

 

2.0 ±0.2

 

 

 

 

EQUIVALENT CIRCUIT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

PIN CONNECTION

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1.

Gate 1 (G1)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2. Source (common)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3. Gate 2 (G2)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4.

Drain 2 (D2)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

5.

Drain 1 (D1)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Marking: CB

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

RATINGS

 

UNIT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Drain to Source Voltage

VDSS

VGS = 0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

–30

 

V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gate to Source Voltage

VGSS

VDS = 0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

+7

 

Drain Current (DC)

ID(DC)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

+100

 

mA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Drain Current (pulse)

ID(pulse)

PW 10 ms, Duty Cycle 50 %

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

+200

 

mA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Total Power Dissipation

PT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

200 (Total)

 

mW

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Channel Temperature

Tch

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

150

 

˚C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Operating Temperature

Topt

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

–55 to +80

 

˚C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Storage Temperature

Tstg

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

–55 to +150

 

˚C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Document No. G11245EJ1V0DS00 (1st edition)

 

 

Date Published June 1996 P

 

 

Printed in Japan

©

1996

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

μPA573T

 

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 ˚C)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

PARAMETER

SYMBOL

 

 

TEST CONDITIONS

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Drain Cut-off Current

IDSS

VDS = –30 V, VGS = 0

 

 

 

–1.0

μA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gate Leakage Current

IGSS

VGS =

 

 

 

 

 

+3.0

μA

 

 

+5 V, VDS = 0

 

 

 

 

 

Gate Cut-off Voltage

VGS(off)

VDS = –3 V, ID = –10 μA

–1.6

–1.9

 

–2.3

V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Forward Transfer Admittance

|yfs|

VDS = –3 V, ID = –10 mA

20

30

 

 

S

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Drain to Source On-State Resistance

RDS(on)1

VGS = –2.5 V, ID = –1 mA

 

55

100

Ω

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Drain to Source On-State Resistance

RDS(on)2

VGS = –4.0 V, ID = –10 mA

 

20

25

Ω

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Input Capacitance

Ciss

VDS = –5.0 V, VGS = 0, f = 1 MHz

 

16

 

 

pF

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Output Capacitance

Coss

 

 

 

 

13

 

 

pF

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Reverse Transfer Capacitance

Crss

 

 

 

 

2

 

 

pF

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Turn-On Delay Time

td(on)

VDD = – 5 V, ID = –10 mA, VGS(on) = –5 V,

 

10

 

 

ns

 

 

 

 

RG = 10 Ω, RL = 500 Ω

 

 

 

 

 

 

 

Rise Time

tr

 

40

 

 

ns

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Turn-Off Delay Time

td(off)

 

 

 

 

130

 

 

ns

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Fall Time

tf

 

 

 

 

80

 

 

ns

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

SWITCHING TIME MEASUREMENT CIRCUIT AND CONDITIONS

PG.

0

VGS

τ

τ = 1 μs

Duty Cycle 1 %

 

 

VGS

 

 

 

 

RL

Gate

 

10 %

 

 

 

DUT

voltage

 

 

 

 

 

 

 

VGS(on)

 

 

 

 

 

 

 

waveform

 

 

 

 

 

 

 

 

 

90 %

VDD

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

RG

 

ID

 

 

 

 

 

 

 

td(on)

tr

td(off)

tf

 

Drain

0

 

 

 

 

 

current

10 %

 

 

10 %

 

waveform

 

 

 

ID

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

90 %

 

 

 

 

90 %

 

 

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