Siemens SFH530 Datasheet
Ultraviolet Selective Sensor SFH 530
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
• Hohe UV-Empfindlichkeit
• Speziell geeignet für Anwendungen bei
310 nm
• Geringe Empfindlichkeit bei sichtbarem und
IR-Licht
• Eine Versorgungsspannung
• Geringe Stromaufnahme
• Hermetisch dichte Metallbauform (TO-39)
Anwendungen
• Flammenmelder
• Chem. und biomedizinische Analyse
• Photometrie
• Excimerlasersteuerung und -überwachung
• Umwelt-Kartierung
• Hautbestrahlungsforschung
• Überwachung von UV-Sterilisierungsgeräten
• Medizinische Fehlerdiagnose
• Schweißprozeßüberwachung
Features
• High UV sensitivity
• Suitable esp. for applications at 310 nm
• Low sensitivity for visible and infrared light
• Single supply voltage
• Low current consumption
• Hermetically sealed metal package (TO-39)
Applications
• Flame detector
• Chemical and biomedical analysis
• Photometry
• Excimer laser control and monitoring
• Environment mapping
• Skin irradiation studies
• Monitoring of UV sterilising equipment
• Medical diagnostic
• Welding monitoring
Semiconductor Group 1 1998-08-27
SFH 530
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
SFH 530 Q62702-P1706
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Versorgungsspannung
Supply voltage
Kennwerte (TA=25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Top; T
stg
V
S
Symbol
Symbol
Wert
Value
–20…+80 °C
8V
Wert
Value
min. typ. max.
Einheit
Unit
Einheit
Unit
Versorgungsstrom
Supply current
5 V, 20 °C, dark, no load
Max. Ausgangsstrom
Max. output current
5 V, 20 °C, saturation, 1.4 kΩ load
Schwingungsbreite für die Ausgangsspannung
Output swing
5 V, 20 °C, saturation, no load
5 V, 20 °C, dark, no load
PSRR (50 … 100 Hz)
5 V, 20 °C, no load
Offsetspannung
Offset voltage
5 V, 25 °C, no load
5 V, 60 °C, no load
5 V, 80 °C, no load
Halbwinkel
Half angle
NEP at 310 nm
5 V, 20 °C, no load
I
S
I
out
50 65 90 µA
35 51 72 µA
–
2.1
0
2.6
0.2
3.1
1
V
mV
– 40 – 62 dB
V
off
–5
–10
–60
0
–2
–10
1
0
–1
mV
ϕ – ± 7.5 – Grad
Deg.
NEP
–7×10
-14
–W/√Hz
Semiconductor Group 2 1998-08-27
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