Siemens SFH523 Datasheet

Semiconductor Group 491 10.95

SFH 523

Eigenschaften

Substratscheibe: 4600 ± 1400 Ωcm
Chipdicke: 381 ± 15 µm
Vorderseite: Aluminiumkontakt 1,4 µm

Aluminiumabdeckung ganzflächig 0,1 µm

Rückseite: 0,4 µm Gold/Arsen

● Kleiner Dunkelstrom

● Niedrige Kapazität

● Hohe Durchbruchspannung ermöglicht Betrieb bei voll ausgeräumten Chip

Features

Substrate: 4600 ± 1400 Ωcm
Chip thickness: 381 ± 15 µm
Topside: Aluminium contact 1.4 µm

Aluminium total cover 0.1 µm

Backside: 0.4 µm Au/As

● Low dark current

● Low capacitance

● High breakdown voltage permits operation at full depletion

Typ
Type

Bestellnummer
Ordering Code

SFH 523 Q62702-P422

α-β-γ−Strahlungsdetektor SFH 523
α-β-γ−Radiation Detector

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

fso06877

Semiconductor Group 492

SFH 523

Kennwerte
Characteristics

Current and Capacitance Characteristics per cm

2

Bezeichnung
Description

Symbol
Symbol

Wert
Value

Einheit
Unit

Sperrspannung
Breakdown voltage
100 µA

V

R

> 180 V

Dunkelstrom
Dark current
80 V
150 V

I

R

(< 120)
60 (< 240)

nA

Flußspannung
Forward voltage
100 mA

V

F

0.7 (< 2) V

Kapazität
Capacitance

f = 1 MHz, E

v

= 0
80 V
150 V

C

360
270

pF

Kapazität pro cm

2

Capacitance per cm

2

120 V

C

/cm

2

32 pF

Betriebsspannung
Operating voltage

V

op

90 ... 120 V

Ladungsträger - Lebensdauer
Charge carrier - lifetime

–

10 msec.