Siemens SFH520, SFH520A Datasheet
Semiconductor Group 485 10.95
SFH 520
SFH 520 A
Eigenschaften
Substratscheibe: 4600 ± 1400 Ωcm
Chipdicke: 381 ± 15 µm
Vorderseite: Aluminiumkontakt 1,4 µm
Aluminiumabdeckung ganzflächig 0.1 µm
Rückseite: 0,4 µm Gold/Arsen
● Kleiner Dunkelstrom
● Niedrige Kapazität
● Hohe Durchbruchspannung ermöglicht Betrieb bei voll ausgeräumten Chip
Features
Substrate: 4600 ± 1400 Ωcm
Chip thickness: 381 ± 15 µm
Topside: Aluminium contact 1.4 µm
Aluminium total cover 0.1 µm
Backside: 0.4 µm Au/As
● Low dark current
● Low capacitance
● High breakdown voltage permits operation at full depletion
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
.
fes06874
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
SFH 520
SFH 520 A
Q62702-P419
Q62702-P429
α-β-γ−Strahlungsdetektoren SFH 520
α-β-γ−Radiation Detectors SFH 520 A
Semiconductor Group 486
SFH 520
SFH 520 A
Kennwerte
Characteristics
Current and Capacitance Characteristics per cm
2
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Sperrspannung
Breakdown voltage
100 µA
V
R
> 180 V
Dunkelstrom
Dark current
100 V
160 V
I
R
(< 15)
10 (< 20)
nA
Flußspannung
Forward voltage
100 mA
V
F
0.7 (< 2.0) V
Kapazität
Capacitance
f = 1 MHz, E
v
= 0
80 V
150 V
C
12
10
pF
Kapazität pro cm
2
Capacitance per cm
2
120 V
C/cm
2
32 pF
Betriebsspannung
Operating voltage
V
op
90 ... 120 V
Ladungsträger - Lebensdauer
Charge carrier lifetime
–
10 msec.
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