Schnelle GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode
High-Speed GaAlAs Infrared Emitter
Area not flat
9.0
0.4
8.2
7.8
7.5
ø5.1
5.7
5.1
Chip position
5.9
5.5
ø4.8
GEX06626
0.6
0.4
spacing
2.54 mm
Anode
0.8
1.8
1.2
29.5
27.5
Area not flat
SFH 4591
SFH 4592
0.6
0.4
SFH 4591
0.4
9.0
8.2
7.8
7.5
4.8
4.2
Chip position
e
ø5.1
ø4.8
5.9
5.5
0.6
0.4
SFH 4592
GEX06984
Features
● High pulse power and high radiant flux Φ
● Very short switching times (10 ns)
● Low forward voltage and power dissipation
● Very high long-time stability
● Available on tape and reel
Applications
● High data transmission rate up to 100 Mbaud
(IR keyboard, Joystick, Multimedia)
● Analog and digital Hi-Fi audio and video
signal transmission
● Low power consumption (battery) equipment
● Suitable for professional and high-reliability
applications
● Alarm and safety equipment
● IR free air transmission
0.6
0.4
0.8
spacing
2.54 mm
Anode
Approx. weight 0.2 g
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
1.8
1.2
29
27
Wesentliche Merkmale
● Hohe Pulsleistung sowie hoher
Gesamtstrahlungsfluß Φ
● Sehr kurze Schaltzeiten (10 ns)
● Geringe Vorwärtsspannung und
Leistungsaufnahme
● Sehr hohe Langzeitstabilität
● Gegurtet lieferbar
Anwendungen
● Schnelle Datenübertragung mit
Übertragungsraten bis 100 Mbaud
(IR Tastatur, Joystick, Multimedia)
● Analoge und digitale Hi-Fi Audio- und Video-
signalübertragung
● Batteriebetriebene Geräte (geringe Strom-
aufnahme)
● Anwendungen mit hohen Zuverlässigkeits-
ansprüchen bzw. erhöhten Anforderungen
● Alarm- und Sicherungssysteme
● IR Freiraumübertragung
fex06626 fex06260
e
Semiconductor Group 1 1998-09-08
SFH 4591
SFH 4592
Typ
Type
SFH 4591
SFH 4592
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P5059
Q62702-P5060
Gehäuse
Package
5 mm-LED-Gehäuse (T13/4), klar, Anschlüsse im 2,54-mm
Raster, Anodenkennzeichnung: kurzer Anschluß
5-mm-LED package (T13/4), clear, solder tabs 2.54-mm (1/10”),
anode marking: short lead
Grenzwerte (TA = 25 °C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
Durchlaβstrom
Forward current
Stoβstrom, tp = 10 µs, D = 0
Surge current
Symbol
Symbol
Top; T
stg
V
R
Wert
Value
Einheit
Unit
– 40 ... + 100 °C
3V
IF (DC) 100 mA
I
FSM
2A
Verlustleistung
Power dissipation
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung,
freie Beinchenlänge max. 10 mm
Thermal resistance junction - ambient,
lead length between package bottom and
PCB max. 10 mm
P
R
tot
thJA
200 mW
375 K/W
Semiconductor Group 2 1998-09-08