Siemens SFH309P, SFH309PFA Datasheet
SFH 309 P
SFH 309 PFA
NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
SFH 309 P
SFH 309 PFA
feo06445feof6445
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
Wesentliche Merkmale
● Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 380 nm bis 1180 nm
(SFH 309 P) und bei 880 nm (SFH 309 PFA)
● Hohe Linearität
● 3 mm plane Plastikbauform im LED-Gehäuse
● Gruppiert lieferbar
Anwendungen
● Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
● Industrieelektronik
● “Messen/Steuern/Regeln”
Typ (*vorher)
Type (*formerly)
Bestellnummer
Ordering Code
Features
● Especially suitable for applications from
380 nm to 1180 nm (SFH 309 P) and of
880 nm (SFH 309 PFA)
● High linearity
● 3 mm plane LED plastic package
● Available in groups
Applications
● Photointerrupters
● Industrial electronics
● For control and drive circuits
SFH 309 P Q62702-P245
SFH 309 PFA
Q62702-P246
(*SFH 309 PF)
Semiconductor Group 1
01.97
Grenzwerte
Maximum Ratings
SFH 309 P
SFH 309 PFA
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Löttemperatur bei Tauchlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit
t ≤ 5 s
Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 5 s
Löttemperatur bei Kolbenlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit
t ≤ 3 s
Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 3 s
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
Kollektorstrom
Collector current
Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs
Collector surge current
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
T
S
T
S
V
CE
I
C
I
CS
Wert
Value
Einheit
Unit
– 55 ... + 100 °C
260 °C
300 °C
35 V
15 mA
75 mA
T
Verlustleistung,
= 25 °C
A
Total power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
P
tot
R
thJA
165 mW
450 K/W
Semiconductor Group 2
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