Siemens SFH309, SFH309-3, SFH309-4, SFH309-5, SFH309-6 Datasheet
...
Semiconductor Group 1
SFH 309
SFH 309 FA
NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
Wesentliche Merkmale
● Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 380 nm bis 1180 nm
(SFH 309) und bei 880 nm (SFH 309 FA)
● Hohe Linearität
● 3 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
● Gruppiert lieferbar
Anwendungen
● Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
● Industrieelektronik
● “Messen/Steuern/Regeln”
Features
● Especially suitable for applications from
380 nm to 1180 nm (SFH 309) and of
880 nm (SFH 309 FA)
● High linearity
● 3 mm LED plastic package
● Available in groups
Applications
● Photointerrupters
● Industrial electronics
● For control and drive circuits
SFH 309
SFH 309 FA
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
feof6653 feo06653
01.97
Semiconductor Group 2
SFH 309
SFH 309 FA
1)
Eine Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden.
Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor.
1)
Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield. In this case we
will reserve us the right of delivering a substitute group.
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Typ (*vorher)
Type (*formerly)
Bestellnummer
Ordering Codes
SFH 309 Q62702-P859 SFH 309 FA
(*SFH 309 F)
Q62702-P941
SFH 309-3 Q62702-P997 SFH 309 FA-2
(*SFH 309 F-2)
Q62702-P174
SFH 309-4 Q62702-P998 SFH 309 FA-3
(*SFH 309 F-3)
Q62702-P176
SFH 309-5 Q62702-P999 SFH 309 FA-4
(*SFH 309 F-4)
Q62702-P178
SFH 309-6
1)
Q62702-P1000 SFH 309 FA-5
(*SFH 309 F-51))
Q62702-P180
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
; T
stg
– 55 ... + 100 °C
Löttemperatur bei Tauchlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit
t ≤ 5 s
Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 5 s
T
S
260 °C
Löttemperatur bei Kolbenlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit
t ≤ 3 s
Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 3 s
T
S
300 °C
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
V
CE
35 V
Kollektorstrom
Collector current
I
C
15 mA
Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs
Collector surge current
I
CS
75 mA
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