Siemens SFH303FA, SFH303FA-2, SFH303FA-3, SFH303FA-4, SFH303 Datasheet
...
SFH 303
SFH 303 FA
NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
SFH 303
SFH 303 FA
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
Wesentliche Merkmale
● Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 450 nm bis 1100 nm
(SFH 303) und bei 880 nm (SFH 303 FA)
● Hohe Linearität
● 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
● Auch gegurtet und gruppiert lieferbar
Anwendungen
● Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
● Industrieelektronik
● “Messen/Steuern/Regeln”
Features
● Especially suitable for applications from
450 nm to 1100 nm (SFH 303) and of
880 nm (SFH 303 FA)
● High linearity
● 5 mm LED plastic package
● Also available on tape and in groups
Applications
● Photointerrupters
● Industrial electronics
● For control and drive circuits
Semiconductor Group 1
feof6351 feo06351
07.96
SFH 303
SFH 303 FA
Typ (*vorher)
Type (*formerly)
SFH 303 Q62702-P957 SFH 303 FA
Bestellnummer
Ordering Code
Typ (*vorher)
Type (*formerly)
Bestellnummer
Type (*formerly)
Q62702-P958
(*SFH 303 F)
SFH 303-2 Q62702-P228 SFH 303 FA-2)
Q62702-P222
(*SFH 303 F)
SFH 303-3 Q62702-P229 SFH 303 FA-3
Q62702-P223
(*SFH 303 F-3)
SFH 303-4
1)
Q62702-P230 SFH 303 FA-4
Q62702-P224
(*SFH 303 F-41))
1)
Eine Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden.
Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor.
1)
Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield. In this case we
will reserve us the right of delivering a substitute group.
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Löttemperatur bei Tauchlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit
t ≤ 5 s
Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 5 s
Löttemperatur bei Kolbenlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit
t ≤ 3 s
Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 3 s
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
Kollektorstrom
Collector current
Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs
Collector surge current
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
T
S
T
S
V
CE
I
C
I
CS
Wert
Value
Einheit
Unit
– 55 ... + 100 °C
260 °C
300 °C
50 V
50 mA
100 mA
Emitter-Basisspannung
V
Emitter-base voltage
Semiconductor Group 2
EB
7V
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