Siemens SFH302 Datasheet
SFH 302
NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
SFH 302
fet06017
Wesentliche Merkmale
● Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 450 nm bis 1100 nm
● Hohe Linearität
● TO-18, Bodenplatte, klares Epoxy-
Gießharz, mit Basisanschluß
● Gruppiert lieferbar
Anwendungen
● Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
● Industrieelektronik
● “Messen/Steuern/Regeln”
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
SFH 302 Q62702-P1641
SFH 302-2 Q62702-P1623
SFH 302-3 Q62702-P1624
Features
● Especially suitable for applications from
450 nm to 1100 nm
● High linearity
● TO-18, base plate, transparent exposy resin
lens, with base connection
● Available in groups
Applications
● Photointerrupters
● Industrial electronics
● For control and drive circuits
SFH 302-4 Q62702-P1625
SFH 302-5 Q62702-P1626
SFH 302-6 Q62702-P1627
Semiconductor Group 252
10.95
Grenzwerte
Maximum Ratings
SFH 302
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Löttemperatur bei Tauchlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit
t ≤ 5 s
Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 5 s
Löttemperatur bei Kolbenlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit
t ≤ 3 s
Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 3 s
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
Kollektorstrom
Collector current
Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs
Collector surge current
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
T
S
T
S
V
CE
I
C
I
CS
Wert
Value
Einheit
Unit
– 40 ... + 80 °C
260 °C
300 °C
50 V
50 mA
200 mA
Emitter-Basisspannung
Emitter-base voltage
Verlustleistung,
T
= 25 °C
A
Total power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
V
EB
P
tot
R
thJA
7V
150 mW
450 K/W
Semiconductor Group 253
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