Siemens SFH302 Datasheet

SFH 302

NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified

SFH 302

fet06017

Wesentliche Merkmale

● Speziell geeignet für Anwendungen im

Bereich von 450 nm bis 1100 nm

● Hohe Linearität

● TO-18, Bodenplatte, klares Epoxy-

Gießharz, mit Basisanschluß

● Gruppiert lieferbar

Anwendungen

● Lichtschranken für Gleich- und

Wechsellichtbetrieb

● Industrieelektronik

● “Messen/Steuern/Regeln”

Typ
Type

Bestellnummer
Ordering Code

SFH 302 Q62702-P1641
SFH 302-2 Q62702-P1623
SFH 302-3 Q62702-P1624

Features

● Especially suitable for applications from

450 nm to 1100 nm

● High linearity

● TO-18, base plate, transparent exposy resin

lens, with base connection

● Available in groups

Applications

● Photointerrupters

● Industrial electronics

● For control and drive circuits

SFH 302-4 Q62702-P1625
SFH 302-5 Q62702-P1626
SFH 302-6 Q62702-P1627

Semiconductor Group 252

10.95

Grenzwerte
Maximum Ratings

SFH 302

Bezeichnung
Description

Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range

Löttemperatur bei Tauchlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit

t ≤ 5 s

Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 5 s

Löttemperatur bei Kolbenlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit

t ≤ 3 s

Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 3 s

Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage

Kollektorstrom
Collector current

Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs
Collector surge current

Symbol
Symbol

T

; T

op

stg

T

S

T

S

V

CE

I

C

I

CS

Wert
Value

Einheit
Unit

– 40 ... + 80 °C

260 °C

300 °C

50 V

50 mA

200 mA

Emitter-Basisspannung
Emitter-base voltage

Verlustleistung,

T

= 25 °C

A

Total power dissipation
Wärmewiderstand

Thermal resistance

V

EB

P

tot

R

thJA

7V

150 mW

450 K/W

Semiconductor Group 253