Siemens SFH300, SFH300-2, SFH300-3, SFH300-4, SFH300FA Datasheet
...
SFH 300
SFH 300 FA
Semiconductor Group 240
.
NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
Wesentliche Merkmale
● Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 420 nm bis 1130 nm (SFH 300)
und bei 880 nm (SFH 300 FA)
● Hohe Linearität
● 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
● Gruppiert lieferbar
Anwendungen
● Computer-Blitzlichtgeräte
● Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
● Industrieelektronik
● “Messen/Steuern/Regeln”
Features
● Especially suitable for applications from
420 nm to 1130 nm (SFH 300) and of
880 nm (SFH 300 FA)
● High linearity
● 5 mm LED plastic package
● Available in groups
Applications
● Computer-controlled flashes
● Photointerrupters
● Industrial electronics
● For control and drive circuits
SFH 300
SFH 300 FA
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
feof6652 feo06652
10.95
Semiconductor Group 241
SFH 300
SFH 300 FA
1)
Eine Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden.
Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor.
1)
Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield.
In this case we will reserve us the right of delivering a substitute group.
Typ (*vorher)
Type (*formerly)
Bestellnummer
Ordering Code
Typ (*vorher)
Type (*formerly)
Bestellnummer
Ordering Code
SFH 300
(*BP 103 B)
Q62702-P1189 SFH 300 FA
(*BP 103 BF)
Q62702-P1193
SFH 300-2
(*BP 103 B-2)
Q62702-P85-S2 SFH 300 FA-2
(*BP 103 BF-2)
Q62702-P1192
SFH 300-3
(*BP 103 B-3)
Q62702-P85-S3 SFH 300 FA-3
(*BP 103 BF-3)
Q62702-P1057
SFH 300-4
1)
(*BP 103 B-4)
Q62702-P85-S4 SFH 300 FA-4
(*BP 103 BF-4)
Q62702-P1058
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
; T
stg
– 55 ... + 100 °C
Löttemperatur bei Tauchlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit
t ≤ 5 s
Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 5 s
T
S
260 °C
Löttemperatur bei Kolbenlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit
t ≤ 3 s
Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom t ≤ 3 s
T
S
300 °C
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
V
CE
35 V
Kollektorstrom
Collector current
I
C
50 mA
Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs
Collector surge current
I
CS
100 mA
Emitter-Kollektorspannung
Emitter-collector voltage
V
EC
7V
Loading...