Siemens SFH2801 Datasheet
SFH 2801
Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit
Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time
SFH 2801
fmx06406
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
● Si-PIN Fotodiode
● Niedrige Sperrschicht- und Gehäuse-
Kapazitäten
● Kurze Schaltzeit
● Niedriger Dunkelstrom
● Kathode galvanisch getrennt vom Gehäuse
Anwendungen
● Optischer Sensor mit großer Modulations-
Bandbreite
● Datenübertragung bis zu 565 Mbit/s
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Stecker/Flansch
Connector/Flange
Features
● Si-PIN-photodiode
● Low junction and low package capacitance
● Fast switching times
● Low dark current
● Cathode electrically isolated from case
Applications
● Optical sensor of high modulation bandwidth
● Data communication up to 565 Mbit/s
SFH 2801 Q62702-P3018 TO-18, planes Glasfenster, hermetisch dichtes Ge-
häuse, Lötanschlüsse im 2.54 mm Raster (1/10")
TO-18, plane glass window, hermetically sealed package solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10")
Semiconductor Group 1 1998-10-06
Grenzwerte
Maximum Ratings
SFH 2801
Bezeichnung
Description
Sperrspannung
Reverse voltage
Isolationsspannung zum Gehäuse
Isolation voltage to case
Betriebs- und Lagertemperaturbereich
Operating and storage temperature range
Löttemperatur (Wellen-/Tauchlötung)
(Lötstelle 2 mm von
Bodenplatte entfernt bei Lötzeit t ≤ 10 s)
Soldering temperature (wave/dip soldering)
in 2 mm distance from base plate (t ≤ 10 s)
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
V
R
V
IS
T
; T
op
stg
T
S
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
50 V
100 V
– 40 ... + 125 °C
260 °C
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektrale Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
λ = 850 nm
λ = 950 nm
Anstiegs- und Abfallzeit
Rise and fall time
R
= 50 Ω, VR = 50 V, λ = 850 nm
L
Sperrschicht-Kapazität bei f = 1 MHz
Junction capacitance at f = 1 MHz
V
= 0 V
R
V
= 1 V
R
V
= 12 V
R
V
= 20 V
R
Dunkelstrom
Dark current
V
= 20 V, E = 0
R
λ
S
S
t
C
C
C
C
I
i
D
S max
λ850
λ950
; t
f
0
1
12
20
850 nm
0.55 (≥ 0.45)
0.45
A/W
A/W
1ns
13
7
3.3
3
pF
pF
pF
pF
1 (≤ 5) nA
Semiconductor Group 2 1998-10-06
Loading...