Motorola BD788, BD787 Datasheet
1
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
. . . designed for lower power audio amplifier and low current, high–speed switching
applications.
• Low Collector–Emitter Sustaining Voltage —
V
CEO(sus)
60 Vdc (Min) — BD787, BD788
• High Current–Gain — Bandwidth Product —
fT = 50 MHz (Min) @ IC = 100 mAdc
• Collector–Emitter Saturation Voltage Specified at 0.5, 1.0, 2.0 and 4.0 Adc
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
BD787
BD788
Unit
Collector–Emitter Voltage
V
CEO
60
Vdc
Collector–Base Voltage
V
CBO
80
Vdc
Emitter–Base Voltage
V
EBO
6.0
Vdc
Collector Current — Continous
— Peak
I
C
4.0
8.0
Adc
Adc
Base Current
I
B
1.0
Adc
Total Power Dissipation @ TC = 25°C
Derate Above 25_C
P
D
15
0.12
Watts
W/_C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, T
stg
–65 to +150
_
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
R
θJC
8.34
_
C/W
16
12
0
20 40 60 100 120 140 160
Figure 1. Power Derating
T, TEMPERATURE (°C)
P
D
, POWER DISSIPATION (WATTS)
80
4.0
8.0
1.6
1.2
0
0.4
0.8
P
D
, POWER DISSIPATION (WATTS)
T
A
T
C
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document
by BD787/D
Motorola, Inc. 1995
4 AMPERE
POWER TRANSISTORS
COMPLEMENTARY
SILICON
60 VOLTS
15 WATTS
CASE 77–08
TO–225AA TYPE
REV 7
2
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
*ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
C
= 25_C unless otherwise noted)
Characteristic
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
Min
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1)
(IC = 10 mAdc, IB = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
V
CEO(sus)
60
—
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCE = 20 Vdc, IB = 0)
(VCE = 30 Vdc, IB = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
I
CEO
—
100
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
µAdc
Collector Cutoff Current
(VCE = 80 Vdc, V
BE(off)
= 1.5 Vdc)
(VCE = 40 Vdc, V
BE(off)
= 1.5 Vdc, TC = 125°C)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
I
CEX
—
—
1.0
0.1
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
µAdc
mAdc
Emitter Cutoff Current
(VEB = 6.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
I
EBO
—
1.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
µAdc
ON CHARACTERISTICS(1)
DC Current Gain
(IC = 200 mAdc, VCE = 3.0 Vdc)
(IC = 1.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
(IC = 2.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
(IC = 4.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
h
FE
40
25
20
5.0
250
—
—
—
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
—
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 500 mAdc, IB = 50 mAdc)
(IC = 1.0 Adc, IB = 100 mAdc)
(IC = 2.0 Adc, IB = 200 mAdc)
(IC = 4.0 Adc, IB = 800 mAdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
V
CE(sat)
—
—
—
—
0.4
0.6
0.8
2.5
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = 2.0 Adc, IB = 200 mAdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
V
BE(sat)
—
2.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
Base–Emitter On Voltage
(IC = 2.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
V
BE(on)
—
1.8
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Current–Gain — Bandwidth Product
(IC = 100 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 10 MHz)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
f
T
50
—
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
MHz
Output Capacitance
(VCB = 10 Vdc, IC = 0) BD787
(f = 0.1 MHz) BD788
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
C
ob
—
—
50
70
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
pF
Small–Signal Current Gain
(IC = 200 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
h
fe
10
—
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
—
*Indicates JEDEC Registered Data
(1) Pulse Test; Pulse Width v 300 µs, Duty Cycle v 2.0%.
Figure 2. Switching Time Test Circuit
500
0.04
Figure 3. Turn–On Time
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
t, TIME (ns)
70
30
20
5.0
0.06 0.2 0.4 0.6
td @ V
BE(off)
= 5.0 V
VCC = 30 V
IC/IB = 10
TJ = 25°C
+ 11 V
0
+ 30 V
SCOPE
R
B
– 4 V
tr, tf
v
10 ns
DUTY CYCLE = 1.0%
R
C
t
r
7.0
10
1.0 4.0
D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPE, e.g.:
1N5825 USED ABOVE IB
[
100 mA
MSD6100 USED BELOW IB
[
100 mA
FOR PNP TEST CIRCUIT, REVERSE ALL POLARITIES.
25 µs
– 9.0 V
D
1
51
RB AND RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS
V
CC
BD787 (NPN)
BD788 (PNP)
300
200
100
50
0.1 2.0
Loading...