1
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
. . . for amplifier and switching applications. Complementary types are BD438 and
BD442.
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
Collector–Emitter Voltage BD437
BD441
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
Collector–Base Voltage BD437
BD441
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
Total Device Dissipation @ TC = 25_C
Derate above 25_C
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
Operating and Storage Junction Temperature Range
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
Thermal Resistance, Junction to Case
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document
by BD437/D
4.0 AMPERES
POWER TRANSISTORS
NPN SILICON
CASE 77–08
TO–225AA TYPE
REV 7
2
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
C
= 25_C unless otherwise noted)
Collector–Emitter Breakdown Voltage
(IC = 100 mA, IB = 0) BD437
BD441
Collector–Base Breakdown Voltage
(IC = 100 µA, IB = 0) BD437
BD441
Emitter–Base Breakdown Voltage
(IE = 100 µA, IC = 0)
Collector Cutoff Current
(VCB = 45 V, IE = 0) BD437
(VCB = 80 V, IE = 0) BD441
Emitter Cutoff Current
(VEB = 5.0 V)
DC Current Gain
(IC = 10 mA, VCE = 5.0 V) BD437
BD441
DC Current Gain
(IC = 500 mA, VCE = 1.0 V) BD437
BD441
DC Current Gain
(IC = 2.0 A, VCE = 1.0 V) BD437
BD441
Collector Saturation Voltage
(IC = 2.0 A, IB = 0.2 A) BD437
(IC = 3.0 A, IB = 0.3 A) BD441
Base–Emitter On Voltage
(IC = 2.0 A, VCE = 1.0 V)
Current–Gain — Bandwidth Product
(VCE = 1.0 V, IC = 250 mA, f = 1.0 MHz)