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S8550M(3CG8550M) 硅 PNP 半导体三极管/
SILICON PNP TRANSISTOR
用途:用于功率放大电路。/Purpose: Power amplifier applications.
特点:与 S8050M(3DG8050M)互补。/
极限参数/
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
stg
Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号
Symbol
数值
Rating
-40 V
-25 V
-6.0 V
-800 mA
-200 mA
450 mW
150 ℃
-65～150 ℃
Features: Complementary pair with S8050M(3DG8050M).
单位
Unit
电性能参数/
Electrical characteristics(Ta=25℃)
数值
参数符号
Symbol
测试条件
Test condition
最小值
Min
Rating
典型值
Typ
最大值
Max
单位
Unit
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CBO
I
EBO
h
V
FE（1）
h
V
FE（2）
h
V
FE（3）
V
CE(sat)
V
BE(sat)
V
BE
f
T
C
ob
h
分档、印章/
FE(1)
h
分档
FE(1)
h
Classifications
FE(1)
h
范围
FE(1)
h
Range
FE(1)
印章
Marking
IC=-0.1mA IE=0 -40 V
IC=-2.0mA IB=0 -25 V
IE=-0.1mA IC=0 -6.0 V
VCB=-35V IE=0 -0.1 μA
VEB=-6.0V IC=0 -0.1 μA
=-1.0V IC=-100mA 85 300
CE
=-1.0V IC=-500mA 40
CE
=-1.0V IC=-5.0mA 45
CE
IC=-500mA IB=-50mA -0.28 -0.6 V
IC=-500mA IB=-50mA -0.98 -1.2 V
VCE=-1.0V IC=-10mA -0.66 -1.0 V
VCE=-10V IC=-50mA 100 200 MHz
VCB=-10V IE=0 f=1.0MHz 15 pF
h
classifications、Marking：
FE(1)
B C D
85～160 120～200 160～300
HY4B HY4C HY4D
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S8550M(3CG8550M)
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