SFH 2540/FA
SFH 2545/FA
Semiconductor Group 1
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
SFH 2540 Q SFH 2540 FA Q62702-P1795
SFH 2545 Q SFH 2545 FA Q
Wesentliche Merkmale
● Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 400 nm bis 1100 nm
(SFH 2540/2545) und bei 880 nm
(SFH 2540 FA/2545 FA)
● Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns)
● 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
● Auch gegurtet lieferbar
● Für Oberflächenmontage geeignet
Anwendungen
● Industrieelektronik
● “Messen/Steuern/Regeln”
● Schnelle Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
Features
● Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm (SFH 2540/2545) and of
880 nm (SFH 2540 FA/2545 FA)
● Short switching time (typ. 5 ns)
● 5 mm LED plastic package
● Also available on tape
● Suitable for surface mounting
Applications
● Industrial electronics
● For control and drive circuits
● Photointerrupters
Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit
Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time
SFH 2540/FA
SFH 2545/FA
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
07.96
SFH 2540/FA
SFH 2545/FA
Semiconductor Group 2
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
; T
stg
– 55 ... + 100 °C
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom
Gehäuse entfernt bei Lötzeit
t ≤ 3 s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (t ≤ 3 s)
T
S
230 °C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
50 V
Verlustleistung
Total power dissipation
P
tot
100 mW
Kennwerte
(T
A
= 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH 2540
SFH 2545
SFH 2540 FA
SFH 2545 FA
Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
V
R
= 5 V, Normlicht/standard light A,
T = 2856 K,
V
R
= 5 V, λ = 870 nm, Ee = 1 mW/cm
2
S
S
100 (> 75)
–
–
70 (> 50)
nA/Ix
µA
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
λ
S max
850 900 nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von S
max
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of S
max
λ 400 ... 1100 750 ... 1100 nm
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
A 11 mm
2
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
L × B
L
× W
1 × 11×1mm×mm
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche
Distance chip front to case surface
H
3.9 ... 4.4 3.9 ... 4.4 mm