Siemens SFH229FA, SFH229 Datasheet

SFH 229
SFH 229 FA

Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit
Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time

SFH 229
SFH 229 FA

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Wesentliche Merkmale

● Speziell geeignet für Anwendungen im

Bereich von 380 nm bis 1100 nm (SFH 229)
und bei 880 nm (SFH 229 FA)

● Kurze Schaltzeit (typ. 10 ns)

● 3 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse

● Auch gegurtet lieferbar

Anwendungen

● Lichtschranken für Gleich- und

Wechselbetrieb

● Industrieelektronik

● “Messen/Steuern/Regeln”

Typ (*vorher)
Type (*formerly)

Bestellnummer
Ordering Code

Features

● Especially suitable for applications from

380 nm to 1100 nm (SFH 229) and of
880 nm (SFH 229 FA)

● Short switching time (typ. 10 ns)

● 3 mm LED plastic package

● Also available on tape

Applications

● Photointerrupters

● Industrial electronics

● For control and drive circuits

SFH 229 Q62702-P215

feof6447 feo06447

SFH 229 FA

Q62702-P216

(*SFH 229 F)

Semiconductor Group 1

01.97

Grenzwerte
Maximum Ratings

SFH 229
SFH 229 FA

Bezeichnung
Description

Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range

Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom
Gehäuse entfernt bei Lötzeit

t ≤ 3 s)

Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (t ≤ 3 s)

Sperrspannung
Reverse voltage

Verlustleistung
Total power dissipation

Kennwerte

(T

= 25 °C)

A

Characteristics
Bezeichnung

Description

Symbol
Symbol

T

; T

op

stg

T

S

V

R

P

tot

Symbol
Symbol

Wert
Value

Einheit
Unit

– 55 ... + 100 °C

230 °C

20 V

150 mW

Wert

Value

Einheit
Unit

Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity

V

= 5 V, Normlicht/standard light A,

R

T = 2856 K,
V

= 5 V, λ = 950 nm, Ee = 1 mW/cm

R

Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity

Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit

S = 10 % von S

max

Spectral range of sensitivity

S = 10 % of S

max

Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area

Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area

Abstand Chipoberfläche zu Gehäuse­oberfläche
Distance chip front to case surface

2

SFH 229 SFH 229 FA

S

S

λ

S max

28 (≥ 18)

–

–

20 (≥ 10.8)

nA/Ix

µA

860 900 nm

λ 380 ... 1100 730 ... 1100 nm

A 0.3 0.3 mm

L × B

× W

L
H

0.56 × 0.56 0.56 × 0.56 mm × mm

2.4 ... 2.8 2.4 ... 2.8 mm

2

Semiconductor Group 2