Siemens SFH225FA Datasheet
Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter
Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter
SFH 225 FA
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm , unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
● Speziell geeignet für Anwendungen bei
880 nm
● Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
● 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
● Auch gegurtet lieferbar
Anwendungen
● IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Lichtdimmern und Gerätefernsteuerungen
● Lichtschranken für Gleich- und
Features
● Especially suitable for applications of
880 nm
● Short-switching time (typ. 20 ns)
● 5 mm LED plastic package
● Also available on tape
Applications
● IR-remote control of hi-fi and TV sets, vid eo
tape recorders, dimmers, remote control of
various equipment
● Photointerrupters
Wechsellichtbetrieb
Typ (*vorher)
Type (*formerly)
Bestellnummer
Ordering Code
feo06422
SFH 225 FA
Q62702-P1051
(*SFH 225)
Semiconductor Group 1 1998-04-20
Grenzwerte
Maximum Ratings
SFH 225 FA
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom
Gehäuse entfernt bei Lötzeit
t ≤ 3 s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (
t ≤ 3 s)
Sperrspannung
Reverse voltage
Verlustleistung,
T
= 25 °C
A
Total power dissipation
T
Kennwerte (
= 25 °C, λ = 870 nm)
A
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
T
S
V
R
P
tot
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
– 40 ... + 80 °C
230 °C
20 V
150 mW
Wert
Value
Einheit
Unit
Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
V
= 5 V, Ee = 1 mW/cm
R
2
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von S
max
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
S
λ
S max
34 (≥ 25) µA
900 nm
λ 740 ... 1120 nm
A
L × B
× W
L
H
4.84 mm
2.20 × 2.20 mm × mm
0.6 ... 0.8 mm
ϕ±60 Grad
deg.
2
Semiconductor Group 2 1998-04-20
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