Siemens SFH216 Datasheet
SFH 216
Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit
Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time
SFH 216
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
● Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 350 nm bis 1100 nm
● Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns)
● Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18)
Anwendungen
● Schneller optischer Empfänger mit groβer
Modulationsbandbreite für Lichtgriffel
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Features
● Especially suitable for applications from
350 nm to 1100 nm
● Short switching time (typ. 5 ns)
● Hermetically sealed metal package (TO-18)
Applications
● Optical sensor of high modulation bandwidth
for light pens
feo06314
SFH 216 Q62702-P936
Semiconductor Group 410
10.95
Grenzwerte
Maximum Ratings
SFH 216
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
Operating and storage temperature range
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom
Gehäuse entfernt bei Lötzeit
t ≤ 3 s)
T
S
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (t ≤ 3 s)
Sperrspannung
V
R
Reverse voltage
Verlustleistung,
= 25 °C
A
P
tot
T
Total power dissipation
Kennwerte (
T
= 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K)
A
Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
– 40 ... + 125 °C
230 °C
50 V
250 mW
Wert
Value
Einheit
Unit
Fotoempfindlichkeit,
V
R
= 5 V
Spectral sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von S
max
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
Dunkelstrom, VR = 20 V
Dark current
S
λ
S max
50 (≥ 35) nA/Ix
850 nm
λ 350 ... 1150 nm
A 1mm
L × B
× W
L
H
1 × 1mm
4.2 ... 5.0 mm
2
ϕ±12 Grad
deg.
I
R
1 (≤ 5) nA
Semiconductor Group 411
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