RN2114
RN2114～RN2118
2001-05-01
1
東芝トランジスタ シリコン PNP エピタキシャル形 (PCT 方式) (バイアス抵抗内蔵)
RN2114,RN2115,RN2116,RN2117,RN2118
○ スイッチング用
○ インバータ用
○ インタフェース回路用
○ ドライバ回路用
l バイアス抵抗がトランジスタに内蔵されているため、部品点数
の削減による機器の小形化、組み立ての省力化が可能です。
l 多様な回路設計に適するように種々の抵抗値を揃えています。
l RN1114～RN1118 とコンプリメンタリになります。
等価回路とバイアス抵抗値
等価回路とバイアス抵抗値等価回路とバイアス抵抗値
等価回路とバイアス抵抗値
形名 R1 (kΩ) R2 (kΩ)
RN2114 1 10
RN2115 2.2 10
RN2116 4.7 10
RN2117 10 4.7
RN2118 47 10
単位: mm
JEDEC ―
EIAJ ―
東芝
2–2H1A
RN2114～RN2118
2001-05-01
2
最大定格
最大定格最大定格
最大定格
(Ta = 25°C)
項目 記号 定格 単位
コレクタ・ベース間電圧 V
CBO
－50 V
コレクタ・エミッタ間電圧
RN2114
～2118
V
CEO
－50 V
RN2114 －5
RN2115 －6
RN2116 －7
RN2117 －15
エミッタ・ベース間電圧
RN2118
V
EBO
－25
V
コレクタ電流 I
C
－100 mA
コレクタ損失 P
C
100 mW
接合温度 T
j
150 °C
保存温度
RN2114
～2118
T
stg
－55～150 °C
RN2114～RN2118
2001-05-01
3
電気的特性
電気的特性電気的特性
電気的特性
(Ta = 25°C)
項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位
RN2114～2118 I
CBO
V
CB
= －50V, I
E
= 0 ― ― －100 nA
コレクタしゃ断電流
RN2114～2118 I
CEO
V
CE
= －50V, I
B
= 0 ― ― －500 nA
RN2114 V
EB
= －5V, I
C
= 0 －0.35 ― －0.65
RN2115 V
EB
= －6V, I
C
= 0 －0.37 ― －0.71
RN2116 V
EB
= －7V, I
C
= 0 －0.36 ― －0.68
RN2117 V
EB
= －15V, I
C
= 0 －0.78 ― －1.46
エミッタしゃ断電流
RN2118
I
EBO
V
EB
= －25V, I
C
= 0 －0.33 ― －0.63
mA
RN2114～16, 18 50 ― ―
直流電流増幅率
RN2117
h
FE
V
CE
= －5V, I
C
= －10mA
30 ― ―
コレクタ・エミッタ間
飽和電圧
RN2114～2118 V
CE (sat)
I
C
= －5mA, I
B
= －0.25mA ― －0.1 －0.3 V
RN2114 －0.5 ― －2.0
RN2115 －0.6 ― －2.5
RN2116 －0.7 ― －2.5
RN2117 －1.5 ― －3.5
入力オン電圧
RN2118
V
I (ON)
V
CE
= －0.2V, I
C
= －5mA
－2.5 ― －10.0
V
RN2114 －0.3 ― －0.9
RN2115 －0.3 ― －1.0
RN2116 －0.3 ― －1.1
RN2117 －0.3 ― －3.0
入力オフ電圧
RN2118
V
I (OFF)
V
CE
= －5V, I
C
= －0.1mA
－0.5 ― －5.7
V
トランジション
周波数
RN2114～2118 f
T
V
CE
= －10V, I
C
= －5mA ― 200 ― MHz
コレクタ出力容量 RN2114～2118 C
ob
V
CB
= －10V, I
E
= 0, f = 1MHz ― 3.0 6.0 pF
RN2114 0.7 1.0 1.3
RN2115 1.54 2.2 2.86
RN2116 3.29 4.7 6.11
RN2117 7.0 10.0 13.0
入力抵抗
RN2118
R
1
―
32.9 47.0 61.1
kΩ
RN2114 ― 0.1 ―
RN2115 ― 0.22 ―
RN2116 ― 0.47 ―
RN2117 ― 2.13 ―
抵抗比率
RN2118
R
1
/R
2
―
― 4.7 ―
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