Siemens SFH214, SFH214FA Datasheet
SFH 214
SFH 214 FA
Neu: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit
New: Silicon PIN Photodiode with Very Short
Switching Time
SFH 214
SFH 214 FA
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
● Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 400 nm bis 1100 nm
(SFH 214) und bei 880 nm (SFH 214 FA)
● Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns)
● 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
● Auch gegurtet lieferbar
Anwendungen
● Industrieelektronik
● “Messen/Steuern/Regeln”
● Schnelle Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
● LWL
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Features
● Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm (SFH 214) and of
880 nm (SFH 214 FA)
● Short switching time (typ. 5 ns)
● 5 mm LED plastic package
● Also available on tape
Applications
● Industrial electronics
● For control and drive circuits
● Photointerrupters
● Fiber optic transmission systems
SFH 214 Q62702-P922
feof6652 feo06652
SFH 214 FA Q62702-P1672
Semiconductor Group 1
03.96
Grenzwerte
Maximum Ratings
SFH 214
SFH 214 FA
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom
Gehäuse entfernt bei Lötzeit
t ≤ 3 s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (t ≤ 3 s)
Sperrspannung
Reverse voltage
Verlustleistung
Total power dissipation
Kennwerte
(T
= 25 °C)
A
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
T
S
V
R
P
tot
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
– 55 ... + 100 °C
300 °C
50 V
100 mW
Wert
Value
Einheit
Unit
Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
V
= 5 V, Normlicht/standard light A,
R
T = 2856 K,
V
= 5 V, λ = 870 nm, Ee = 1 mW/cm
R
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von S
max
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche
Distance chip front to case surface
2
SFH 214 SFH 214 FA
S
S
λ
S max
45 (≥ 30)
–
–
25 (≥ 20)
nA/Ix
µA
850 900 nm
λ 400 ... 1100 750 ... 1100 nm
A 11 mm
L × B
× W
L
H
1 × 11×1mm×mm
3.4 ... 4.0 3.4 ... 4.0 mm
2
Semiconductor Group 2
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