Siemens SFH206K Datasheet
Silizium-PIN-Fotodiode
Silicon PIN Photodiode
SFH 206 K
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
● Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 400 nm bis 1100 nm
● Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
● 5-mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
● Auch gegurtet lieferbar
Anwendungen
● Computer-Blitzlichtgeräte
● Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
● Industrieelektronik
● “Messen/Steuern/Regeln”
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Features
● Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm
● Short switching time (typ. 20 ns)
● 5 mm LED plastic package
● Also available on tape
Applications
● Computer-controlled flashes
● Photointerrupters
● Industrial electronics
● For control and drive circuits
feo06647
SFH 206 K Q62702-P129
Semiconductor Group 1 1998-03-17
Grenzwerte
Maximum Ratings
SFH 206 K
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
Operating and storage temperature range
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom
T
S
Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3 s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (t ≤ 3 s)
Sperrspannung
V
R
Reverse voltage
Verlustleistung, TA = 25 °C
P
tot
Total power dissipation
Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K)
Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
– 55 ... + 100 °C
230 °C
32 V
150 mW
Wert
Value
Einheit
Unit
Fotoempfindlichkeit, VR = 5 V
Spectral sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von S
max
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
Dunkelstrom, VR = 10 V
Dark current
S
λ
S max
80 (≥ 50) nA/Ix
850 nm
λ 400 ... 1100 nm
A 7.00 mm
L × B
L
× W
H
ϕ±60 Grad
I
R
2.65 × 2.65 mm × mm
1.2 ... 1.4 mm
deg.
2 (≤ 30) nA
2
Semiconductor Group 2 1998-03-17
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