Siemens SFH205FA Datasheet
Neu: Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter
New: Silicon-PIN-Photodiode with Daylight Filter
SFH 205 FA
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm , unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
● Speziell geeignet für Anwendungen bei
880 nm
● Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
● 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
● Auch gegurtet lieferbar
Anwendungen
● IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Lichtdimmern, Gerätefernsteuerungen
● Lichtschranken für Gleich- und
Features
● Especially suitable for applications of
880 nm
● Short switching time (typ. 20 ns)
● 5 mm LED plastic package
● Also available on tape
Applications
● IR-remote control of hi-fi and TV sets, vid eo
tape recorders, dimmers, remote control of
various equipment
● Photointerrupters
Wechsellichtbetrieb
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
SFH 205 FA Q62702-P1677
feof6647
Semiconductor Group 1 1998-03-17
Grenzwerte
Maximum Ratings
SFH 205 FA
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom
Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3 s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (t ≤ 3 s)
Sperrspannung
Reverse voltage
Verlustleistung, TA = 25 °C
Total power dissipation
Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 870 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
V
= 5 V, Ee = 1 mW/cm
R
2
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
T
S
V
R
P
tot
Symbol
Symbol
S
λ
S max
Wert
Value
Einheit
Unit
– 55 ... + 100 °C
230 °C
32 V
150 mW
Wert
Value
Einheit
Unit
60 (≥ 45) µA
900 nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von S
max
λ 740 ... 1100 nm
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of S
Bestrahlungsempfindliche Fläche
max
A 7.00 mm
2
Radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
L × B
2.65 × 2.65 mm × mm
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Abstand Chipoberfläche zu
L
H
× W
2.3 ... 2.5 mm
Gehäuseoberfläche
Distance chip surface to case surface
Halbwinkel
Half angle
Dunkelstrom, VR = 10 V
ϕ±60 Grad
deg.
I
R
2 (≤ 30) nA
Dark current
Semiconductor Group 2 1998-03-17
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