Siemens SFH205FA Datasheet

Neu: Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter
New: Silicon-PIN-Photodiode with Daylight Filter

SFH 205 FA

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm , unless otherwise specified.

Wesentliche Merkmale

● Speziell geeignet für Anwendungen bei

880 nm

● Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)

● 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse

● Auch gegurtet lieferbar

Anwendungen

● IR-Fernsteuerung von Fernseh- und

Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Lichtdimmern, Gerätefernsteuerungen

● Lichtschranken für Gleich- und

Features

● Especially suitable for applications of

880 nm

● Short switching time (typ. 20 ns)

● 5 mm LED plastic package

● Also available on tape

Applications

● IR-remote control of hi-fi and TV sets, vid eo

tape recorders, dimmers, remote control of
various equipment

● Photointerrupters

Wechsellichtbetrieb

Typ
Type

Bestellnummer
Ordering Code

SFH 205 FA Q62702-P1677

feof6647

Semiconductor Group 1 1998-03-17

Grenzwerte
Maximum Ratings

SFH 205 FA

Bezeichnung
Description

Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range

Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom
Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3 s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (t ≤ 3 s)

Sperrspannung
Reverse voltage

Verlustleistung, TA = 25 °C
Total power dissipation

Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 870 nm)
Characteristics

Bezeichnung
Description

Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity

V

= 5 V, Ee = 1 mW/cm

R

2

Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity

Symbol
Symbol

T

; T

op

stg

T

S

V

R

P

tot

Symbol
Symbol

S

λ

S max

Wert
Value

Einheit
Unit

– 55 ... + 100 °C

230 °C

32 V

150 mW

Wert
Value

Einheit
Unit

60 (≥ 45) µA

900 nm

Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit

S = 10 % von S

max

λ 740 ... 1100 nm

Spectral range of sensitivity

S = 10 % of S

Bestrahlungsempfindliche Fläche

max

A 7.00 mm

2

Radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen

L × B

2.65 × 2.65 mm × mm
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area

Abstand Chipoberfläche zu

L
H

× W

2.3 ... 2.5 mm
Gehäuseoberfläche
Distance chip surface to case surface

Halbwinkel
Half angle

Dunkelstrom, VR = 10 V

ϕ±60 Grad

deg.

I

R

2 (≤ 30) nA

Dark current

Semiconductor Group 2 1998-03-17