Siemens SFH204F, SFH204FA Datasheet

Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter
Silicon-PIN-Photodiode with Daylight Filter

Chip positionArea not flat

5.1

4.7

5.3

4.9

mm

spacing

2.54

Cathode

1.8

1.2

0.6

0.5

0.4

0.3

0.8

(3.8)

34
32

0.4

6.3

5.7

SFH 204 F
SFH 204 FA

GEO06964

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Wesentliche Merkmale

● Speziell geeignet für Anwendungen bei

880 nm

● Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)

● 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse

● Auch gegurtet lieferbar

Anwendungen

● IR-Fernsteuerung von Fernseh- und

Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Lichtdimmern, Gerätefernsteuerungen

● Lichtschranken für Gleich- und

Features

● Especially suitable for applications of

880 nm

● Short switching time (typ. 20 ns)

● 5 mm LED plastic package

● Also available on tape

Applications

● IR-remote control of hi-fi and TV sets, video

tape recorders, dimmers, remote control of
various equipment

● Photointerrupters

Wechsellichtbetrieb

Typ
Type

Bestellnummer
Ordering Code

SFH 204 F Q62702-P5052
SFH 204 FA Q62702-P1793

Semiconductor Group 1 1998-11-12

Grenzwerte
Maximum Ratings

SFH 204 F
SFH 204 FA

Bezeichnung
Description

Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range

Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom
Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3 s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (t ≤ 3 s)

Sperrspannung
Reverse voltage

Verlustleistung, TA = 25 °C
Total power dissipation

Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics

Bezeichnung
Description

Symbol
Symbol

T

; T

op

T

S

V

R

P

tot

Symbol
Symbol

stg

SFH 204 F

λ = 950 nm

Wert
Value

Einheit
Unit

– 55 ... + 100 °C

230 °C

20 V

150 mW

Wert

Value

SFH 204 FA

λ = 870 nm

Einheit
Unit

Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity

V

= 5 V, Ee = 1 mW/cm

R

2

Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity

Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit

S = 10 % von S

max

Spectral range of sensitivity

S = 10 % of S

max

Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area

Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area

Abstand Chipoberfläche zu
Gehäuseoberfläche
Distance chip surface to case surface

Halbwinkel horizontal
Half angle horizontal plane

S

λ

S max

52 (≥ 43) 52 (≥ 43) µA

920 900 nm

λ 780 ... 1120 740 ... 1120 nm

A 4.84 4.84 mm

L × B

L

× W

H

ϕ±60 ± 60 Grad

2.20 × 2.20 2.20 × 2.20 mm × mm

1.9 ... 2.4 1.9 ... 2.4 mm

deg.

2

Semiconductor Group 2 1998-11-12