ON Semiconductor BD791T, BD791 Datasheet
1
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
. . . designed for low power audio amplifier and low–current, high speed switching
applications.
• High Collector–Emitter Sustaining Voltage —
V
CEO(sus)
= 100 Vdc (Min)
• High DC Current Gain @ IC = 200 mAdc
hFE = 40–250
• Low Collector–Emitter Saturation Voltage —
V
CE(sat)
= 0.5 Vdc (Max) @ IC = 500 mAdc
• High Current Gain — Bandwidth Product —
fT = 40 MHz (Min) @ IC = 100 mAdc)
*MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Max
Unit
Collector–Emitter V oltage
V
CEO
100
Vdc
Collector–Base Voltage
V
CB
100
Vdc
Emitter–Base Voltage
V
EBO
6.0
Vdc
ОООООООООО
Î
Collector Current — Continuous
— Peak
ÎÎÎ
Î
I
C
ÎÎÎÎ
Î
4.0
8.0
Î
Î
Adc
Base Current
I
B
1.0
Adc
ОООООООООО
Î
Total Power Dissipation @ TC = 25_C
Derate above 25_C
ÎÎÎ
Î
P
D
ÎÎÎÎ
Î
15
0.12
Î
Î
Watts
W/_C
Operating and Storage Junction
T emperature Range
TJ,T
stg
–65 to +150
_
C
ООООООООООООООООООООО
Î
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
R
θJC
8.34
_
C/W
16
12
0
20 40 60 100 120 140 160
Figure 1. Power Derating
T, TEMPERATURE (°C)
80
4.0
8.0
1.6
1.2
0
0.4
0.8
T
A
T
C
P
D
, POWER DISSIPATION (WATTS)
P
D
, POWER DISSIPATION (WATTS)
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document
by BD791/D
Motorola, Inc. 1998
Motorola Preferred Device
4 AMPERE
POWER TRANSISTOR
SILICON
100 VOLTS
15 WATTS
CASE 77–09
TO–225AA TYPE
BD791
2
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
*ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
C
= 25_C unless otherwise noted)
Characteristic
ÎÎÎÎ
Symbol
Min
Max
ÎÎÎ
Unit
OFF CHARACTERISTICS
ООООООООООООООООООООО
Î
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1)
(IC = 10 mAdc, IB = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
V
CEO(sus)
ÎÎ
Î
100
ÎÎ
Î
—
ÎÎÎ
ÎÎ
Î
Vdc
ООООООООООООООООООООО
Î
Collector Cutoff Current
(VCE = 50 Vdc, IB = 0)
ÎÎÎ
Î
I
CEO
ÎÎ
Î
—
ÎÎ
Î
100
ÎÎ
Î
µAdc
ООООООООООООООООООООО
Î
Collector Cutoff Current
(VCE = 100 Vdc, V
BE(off)
= 1.5 Vdc)
(VCE = 50 Vdc, V
BE(off)
= 1.5 Vdc, TC = 125_C)
ÎÎÎ
Î
I
CEX
ÎÎ
Î
—
—
ÎÎ
Î
1.0
0.1
ÎÎ
Î
µAdc
mAdc
Emitter Cutoff Current (VEB = 6.0 Vdc, IC = 0)
I
EBO
—
1.0
µAdc
ON CHARACTERISTICS (1)
ООООООООООООООООООООО
Î
ООООООООООООООООООООО
Î
ООООООООООООООООООООО
Î
DC Current Gain
(IC = 200 mAdc, VCE = 3 0 Vdc)
(IC = 1.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
(IC = 2.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
(IC = 4.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
h
FE
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
40
20
10
5.0
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
250
—
—
—
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
—
ООООООООООООООООООООО
Î
ООООООООООООООООООООО
Î
ООООООООООООООООООООО
Î
Collector Emitter Saturation Voltage
(IC = 500 mAdc, IB = 50 mAdc)
(IC = 1.0 Adc, IB = 100 mAdc)
(IC = 2.0 Adc, IB = 200 mAdc)
(IC = 4.0 Adc, IB = 800 mAdc)
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
V
CE(sat)
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
—
—
—
—
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
0.5
1.0
2.5
3.0
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Vdc
Base–Emitter Saturation Voltage (IC = 2.0 Adc, IB = 200 mAdc)
V
BE(sat)
—
1.8
Vdc
Base–Emitter On Voltage (IC = 200 mAdc, VCE = 3.0 Vdc)
V
BE(on)
—
1.5
Vdc
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Current–Gain — Bandwidth Product
(IC = 100 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 10 MHz)
f
T
40
—
MHz
ООООООООООООООООООООО
Î
Output Capacitance
(VCB = 10 Vdc, IC = 0, f = 0.1 MHz)
ÎÎÎ
Î
C
ob
ÎÎ
Î
—
ÎÎ
Î
50
ÎÎ
Î
pF
ООООООООООООООООООООО
Î
Small–Signal Current Gain
(IC = 200 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz)
ÎÎÎ
Î
h
fe
ÎÎ
Î
10
ÎÎ
Î
—
ÎÎ
Î
—
*Indicates JEDEC Registered Data.
(1) Pulse Test: Pulse Width v 300 µs, Duty Cycle v 2.0%.
Figure 2. Switching Time Test Circuit
500
0.04
Figure 3. Turn–On Time
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
t, TIME (ns)
70
30
20
5.0
0.06 0.2 0.4 0.6
td @ V
BE(off)
= 5.0 V
TJ = 25°C
VCC = 30 V
IC/IB = 10
+ 11 V
0
+ 30 V
SCOPE
R
B
– 4 V
tr, tf
v
10 ns
DUTY CYCLE = 1.0%
R
C
t
r
7.0
10
1.0 4.0
D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPE, eg
MBR340 USED ABOVE IB
[
100 mA
MSD6100 USED BELOW IB
[
100 mA
FOR PNP TEST CIRCUIT, REVERSE ALL POLARITIES.
25 µs
– 9.0 V
D
1
51
RB AND RC VARIED TO OBT AIN DESIRED CURRENT LEVELS
V
CC
300
200
100
50
0.1 2.0
Loading...