ON Semiconductor 2N6547 Datasheet
1
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
The 2N6547 transistor is designed for high–voltage, high–speed, power switching
in inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for 115 and
220 volt line operated switch–mode applications such as:
• Switching Regulators
• PWM Inverters and Motor Controls
• Solenoid and Relay Drivers
• Deflection Circuits
Specification Features —
High Temperature Performance Specified for:
Reversed Biased SOA with Inductive Loads
Switching Times with Inductive Loads
Saturation Voltages
Leakage Currents
MAXIMUM RATINGS (1)
Rating
Symbol
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
Value
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Unit
Collector–Emitter Voltage
V
CEO(sus)
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
400
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vdc
Collector–Emitter Voltage
V
CEX(sus)
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
450
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vdc
Collector–Emitter Voltage
V
CEV
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
850
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vdc
Emitter Base Voltage
V
EB
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
9.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vdc
Collector Current— Continuous
— Peak (2)
I
C
I
CM
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
15
30
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Adc
Base Current — Continuous
— Peak (2)
I
B
I
BM
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
10
20
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Adc
Emitter Current— Continuous
— Peak (2)
I
E
I
EM
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
25
35
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Adc
Total Power Dissipation
@ TC = 25_C
@ TC = 100_C
Derate above 25_C
P
D
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
175
100
1.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Watts
W/_C
Operating and Storage Junction Temperature Range
TJ, T
stg
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
–65 to +200
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
_
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
Max
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
R
θJC
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
1.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
_
C/W
Maximum Lead Temperature for Soldering
Purposes: 1/8″ from Case for 5 Seconds
T
L
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
275
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
_
C
Designer’s and SWITCHMODE are trademarks of Motorola, Inc.
Designer’s Data for “Worst Case” Conditions — The Designer’s Data Sheet permits the design of most circuits entirely from the information presented. SOA Limit
curves — representing boundaries on device characteristics — are given to facilitate “worst case” design.
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document
by 2N6547/D
Motorola, Inc. 1995
15 AMPERE
NPN SILICON
POWER TRANSISTORS
300 and 400 VOLTS
175 WATTS
CASE 1–07
TO–204AA
(TO–3)
REV 4
2N6547
2
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
*ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
C
= 25_C unless otherwise noted)
Characteristic
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
Min
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
OFF CHARACTERISTICS (1)
Collector–Emitter Sustaining Voltage
(IC = 100 mA, IB = 0) 2N6546
2N6547
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
V
CEO(sus)
300
400
—
—
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
Collector–Emitter Sustaining Voltage
(IC = 8.0 A, V
clamp
= Rated V
CEX
, TC = 100_C) 2N6546
2N6547
(IC = 15 A, V
clamp
= Rated V
CEO
= 100 V, 2N6546
TC = 100_C) 2N6547
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
V
CEX(sus)
350
450
200
300
—
—
—
—
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
Collector Cutoff Current
(V
CEV
= Rated Value, V
BE(off)
= 1.5 Vdc)
(V
CEV
= Rated Value, V
BE(off)
= 1.5 Vdc, TC = 100_C)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
I
CEV
—
—
1.0
4.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
mAdc
Collector Cutoff Current
(VCE = Rated V
CEV
, RBE = 50 Ω, TC = 100_C)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
I
CER
—
5.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
mAdc
Emitter Cutoff Current
(VEB = 9.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
I
EBO
—
1.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
mAdc
SECOND BREAKDOWN
Second Breakdown Collector Current with base forward biased
t = 1.0 s (non–repetitive) (VCE = 100 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
I
S/b
0.2
—
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Adc
ON CHARACTERISTICS (1)
DC Current Gain
(IC = 5.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
(IC = 10 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
h
FE
1 2
6.0
60
30
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
—
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 10 Adc, IB = 2.0 Adc)
(IC = 15 Adc, IB = 3.0 Adc)
(IC = 10 Adc, IB = 2.0 Adc, TC = 100_C)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
V
CE(sat)
—
—
—
1.5
5.0
2.5
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = 10 Adc, IB = 2.0 Adc)
(IC = 10 Adc, IB = 2.0 Adc, TC = 100_C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
V
BE(sat)
—
—
1.6
1.6
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Current–Gain — Bandwidth Product
(IC = 500 mAdc, VCE = 10 Vdc, f
test
= 1.0 MHz)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
f
T
6.0
28
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
MHz
Output Capacitance
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f
test
= 1.0 MHz)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
C
ob
125
500
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
pF
SWITCHING CHARACTERISTICS
Resistive Load
Delay Time
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
t
d
—
0.05
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
µs
Rise Time
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
t
r
—
1.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
µs
Storage Time
IB1 = IB2 = 2.0 A, tp = 100 µs,
Duty Cycle v 2.0%)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
t
s
—
4.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
µs
Fall Time
v
2.0%)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
t
f
—
0.7
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
µs
Inductive Load, Clamped
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Storage Time
C
= 10 A(pk), V
clamp
= Rated V
CEX
, IB1 = 2.0 A,
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
t
s
—
5.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
µs
Fall Time
(IC = 10 A(pk), V
clamp
= Rated V
CEX
, IB1 = 2.0 A,
V
BE(off)
= 5.0 Vdc, TC = 100_C)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
t
f
—
1.5
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
µs
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Typical
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Storage Time
C
= 10 A(pk), V
clamp
= Rated V
CEX
, IB1 = 2.0 A,
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
t
s
2.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
µs
Fall Time
(IC = 10 A(pk), V
clamp
= Rated V
CEX
, IB1 = 2.0 A,
V
BE(off)
= 5.0 Vdc, TC = 25_C)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
t
f
0.09
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
µs
*Indicates JEDEC Registered Data.
(1) Pulse Test: Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle = 2%.
(VCC = 250 V, IC = 10 A,
(I
(I
Loading...