ON Semiconductor 2N6059, 2N6058 Datasheet
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
"
Order this document
by 2N6052/D
!
. . . designed for general–purpose amplifier and low frequency switching applications.
• High DC Current Gain —
hFE = 3500 (Typ) @ IC = 5.0 Adc
• Collector–Emitter Sustaining Voltage — @ 100 mA
V
CEO(sus)
V
CEO(sus)
• Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Shunt Resistors
MAXIMUM RATINGS (1)
ОООООООООО
Collector–Emitter Voltage
Collector–Base Voltage
Emitter–Base voltage
Collector Current — Continuous
ОООООООООО
Base Current
Total Device Dissipation
@TC = 25_C
ОООООООООО
Derate above 25_C
Operating and Storage Junction
ОООООООООО
T emperature Range
THERMAL CHARACTERISTICS
Thermal Resistance, Junction to Case
(1) Indicates JEDEC Registered Data.
= 80 Vdc (Min) — 2N6058
= 100 Vdc (Min) — 2N6052, 2N6059
Rating
Peak
Characteristic
ÎÎ
Symbol
V
CEO
V
CB
V
EB
I
C
ÎÎ
I
B
P
ÎÎ
TJ, T
ÎÎ
Symbol
5.0
12
20
0.2
150
0.857
Rating
2N6052
ÎÎ
2N6059
100
100
1.17
Î
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Î
Adc
Watts
Î
W/_C
_
C
Î
Unit
_
C/W
ÎÎ
2N6058
80
80
ООООО
D
ООООО
–65 to +200_C
ООООО
R
stg
θJC
*Motorola Preferred Device
DARLINGTON
12 AMPERE
COMPLEMENTARY
SILICON
POWER TRANSISTORS
80–100 VOL TS
150 WATTS
CASE 1–07
TO–204AA
(TO–3)
160
140
120
100
80
60
40
, POWER DISSIPATION (W ATTS)
D
P
20
0
0 25 50 75 100 125 150 200
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
Figure 1. Power Derating
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
Motorola, Inc. 1998
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
175
1
2N6052
ÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
*ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
= 25_C unless otherwise noted)
C
Characteristic
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1)
(IC = 100 mAdc, IB = 0) 2N6058
ООООООООООООООООООООО
ООООООООООООООООООООО
2N6052, 2N6059
Collector Cutoff Current
(VCE = 40 Vdc, IB = 0) 2N6058
ООООООООООООООООООООО
(VCE = 50 Vdc, IB = 0) 2N6052, 2N6059
Collector Cutoff Current
(VCE = Rated V
ООООООООООООООООООООО
(VCE = Rated V
ООООООООООООООООООООО
Emitter Cutoff Current
ООООООООООООООООООООО
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
CEO
CEO
, V
, V
= 1.5 Vdc)
BE(off)
= 1.5 Vdc, TC = 150_C)
BE(off)
ON CHARACTERISTICS (1)
DC Current Gain
(IC = 6.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
ООООООООООООООООООООО
(IC = 12 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
ООООООООООООООООООООО
Collector–Emitter Saturation Voltage
ООООООООООООООООООООО
(IC = 6.0 Adc, IB = 24 mAdc)
ООООООООООООООООООООО
(IC = 12 Adc, IB = 120 mAdc)
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = 12 Adc, IB = 120 mAdc)
ООООООООООООООООООООО
Base–Emitter On Voltage
(IC = 6.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Magnitude of Common Emitter Small–Signal Short Circuit Forward
ООООООООООООООООООООО
Current Transfer Ratio
(IC = 5.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc, f = 1.0 MHz)
ООООООООООООООООООООО
Output Capacitance 2N6052
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz) 2N6058/2N6059
Small–Signal Current Gain
ООООООООООООООООООООО
(IC = 5.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc, f = 1.0 kHz)
*Indicates JEDEC Registered Data.
(1) Pulse test: Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle = 2.0%.
Symbol
V
CEO(sus)
ÎÎÎ
ÎÎÎ
I
CEO
ÎÎÎ
I
CEX
ÎÎÎ
ÎÎÎ
I
EBO
ÎÎÎ
h
FE
ÎÎÎ
ÎÎÎ
V
CE(sat)
ÎÎÎ
ÎÎÎ
V
BE(sat)
ÎÎÎ
V
BE(on)
|hfe|
ÎÎÎ
ÎÎÎ
C
ob
h
fe
ÎÎÎ
Min
ÎÎ
80
100
ÎÎ
—
ÎÎ
—
—
ÎÎ
ÎÎ
—
ÎÎ
ÎÎ
750
100
ÎÎ
ÎÎ
—
ÎÎ
—
—
ÎÎ
—
4.0
ÎÎ
ÎÎ
—
—
300
ÎÎ
Max
ÎÎ
—
—
ÎÎ
1.0
ÎÎ
1.0
0.5
ÎÎ
5.0
ÎÎ
2.0
ÎÎ
ÎÎ
18,000
—
ÎÎ
ÎÎ
2.0
ÎÎ
3.0
4.0
ÎÎ
2.8
—
ÎÎ
ÎÎ
500
300
—
ÎÎ
Unit
Vdc
ÎÎ
ÎÎ
mAdc
ÎÎ
mAdc
ÎÎ
ÎÎ
mAdc
ÎÎ
—
ÎÎ
ÎÎ
Vdc
ÎÎ
ÎÎ
Vdc
ÎÎ
Vdc
MHz
ÎÎ
ÎÎ
pF
—
ÎÎ
RB & RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS
D1 MUST BE FAST RECOVER Y TYPE, eg:
1N5825 USED ABOVE IB
MSD6100 USED BELOW IB
V
2
approx
+8.0 V
0
V
1
approx
–8.0 V
tr, tf
≤
10 ns
DUTY CYCLE = 1.0%
25
≈
100 mA
≈
100 mA
51
µ
s
for td and tr, D1 is disconnected
and V2 = 0
R
B
D
1
+4.0 V
≈
5.0 k
TUT
≈
For NPN test circuit reverse diode and voltage polarities.
Figure 2. Switching Times Test Circuit
2
50
R
V
–30 V
C
CC
SCOPE
µ
t, TIME ( s)
10
5.0
t
s
2.0
t
f
1.0
t
BE(off)
r
= 0
0.5
td @ V
0.2
0.1
0.2
0.5 1.0 3.0 20
5.0 10
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
Figure 3. Switching Times
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
2N6052
2N6059
VCC = 30 V
IC/IB = 250
IB1 = I
B2
°
C
TJ = 25
Loading...