Siemens SFH203, SFH203FA Datasheet

SFH 203 SFH 203 FA
Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
SFH 203 SFH 203 FA
feof6645 feo06645
Wesentliche Merkmale
Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 400 nm bis 1100 nm (SFH 203) und bei 880 nm (SFH 203 FA)
Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns)
5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
Auch gegurtet lieferbar
Anwendungen
Industrieelektronik
“Messen/Steuern/Regeln”
Schnelle Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
LWL
Typ (*vorher) Type (*formerly)
SFH 203
Bestellnummer Ordering Code
Q62702-P955
(*SFH 2030) SFH 203 FA
Q62702-P956
(*SFH 2030 F)
Features
Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm (SFH 203) and of 880 nm (SFH 203 FA)
Short switching time (typ. 5 ns)
5 mm LED plastic package
Also available on tape
Applications
Industrial electronics
For control and drive circuits
Photointerrupters
Fiber optic transmission systems
Semiconductor Group 1
03.96
Grenzwerte Maximum Ratings
SFH 203 SFH 203 FA
Bezeichnung Description
Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom Gehäuse entfernt bei Lötzeit
t ≤ 3 s)
Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t 3 s)
Sperrspannung Reverse voltage
Verlustleistung Total power dissipation
Kennwerte
(T
= 25 °C)
A
Characteristics Bezeichnung
Description
Symbol Symbol
T
; T
op
stg
T
S
V
R
P
tot
Symbol Symbol
Wert Value
Einheit Unit
– 55 ... + 100 °C
230 °C
50 V
100 mW
Wert
Value
Einheit Unit
Fotoempfindlichkeit Spectral sensitivity
V
= 5 V, Normlicht/standard light A,
R
T = 2856 K, V
= 5 V, λ = 950 nm, Ee = 1 mW/cm
R
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von S
max
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche Dimensions of radiant sensitive area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober­fläche Distance chip front to case surface
2
SFH 203 SFH 203 FA
S
S
λ
S max
80 ( 50)
50 ( 30)
nA/Ix
µA
850 900 nm
λ 400 ... 1100 800 ... 1100 nm
A 11 mm
L × B
× W
L H
1 × 11×1mm×mm
4.0 ... 4.6 4.0 ... 4.6 mm
2
Semiconductor Group 2
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