NTE5470 thru 5476 Silicon Controlled Rectifier (SCR)
5 Amp
Description:
The NTE5470 through NTE5476 are multi–purpose PNPN silicon controlled rectifiers in a TO64 type stud mount package suitable for industrial and consumer applications.
Features:
DUniform Low–Level Noise–Immune Gate Triggering
DLow Forward “ON” Voltage
DHigh Surge–Current Capability
Absolute Maximum Ratings: (Apply over operating temperature range unless otherwise specified) Peak Repetitive Forward and Reverse Blocking Voltage (Note 1), VDRM, VRRM
NTE5470 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V NTE5471 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V NTE5472 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V NTE5473 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V NTE5474 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V NTE5475 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V NTE5476 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
Forward Current RMS, ITRMS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8A Peak Forward Surge Current (One Cycle, 60Hz, TJ = –40° to +100° C), ITSM . . . . . . . . . . . . . . 100A
Circuit Fusing (T = –40° to +100° C, t ≤ 8.3ms), I2t . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . |
. . . . . . 40A2sec |
J |
|
Peak Gate Power, PGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . |
. . . . . . . . . . 5W |
Average Gate Power, PG(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . |
. . . . . . . . 0.5W |
Peak Gate Current, IGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . |
. . . . . . . . . . 2A |
Peak Gate Voltage (Note 2), VGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . |
. . . . . . . . . 10V |
Operating Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . |
–40° to +100° C |
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . |
–40° to +150° C |
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . |
. . . . . 2.5° C/W |
Stud Torque . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . |
. . . . . 15 in. lb. |
Note 1. Ratings apply for zero or negative gate voltage. Devices should not be tested for blocking capability in a manner such that the voltage applied exceeds the rated blocking voltage.
Note 2. Devices should not be operated with a positive bias applied to the gate concurrently with a negative potential applied to the anode.
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