NTE NTE5466, NTE5463, NTE5465, NTE5468, NTE5462 Datasheet

NTE5461 thru NTE5468 Silicon Controlled Rectifier (SCR)

10 Amp

Description:

The NTE5461 through NTE5468 series silicon controlled rectifiers are designed primarily for half– wave AC control applications such as motor controls, heating controls, and power supplies; or wherever half–wave silicon gate–controlled, solid–state devices are needed. These devices are supplied in a TO220 type package.

Features;

DGlass Passivated Junctions and Center Gate Fire for Greater Parameter Uniformity and Stability

DSmall, Rugged, Thermowatt Construction for Low Thermal Resistance, High Heat Dissipation, and Durability

DBlocking Voltage to 800 Volts

Absolute Maximum Ratings:

Peak Repetitive Reverse Voltage; Peak Repetitive Off–State Voltage (Note 1), VRRM, VDRM NTE5461 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V NTE5462 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V

NTE5463 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V NTE5465 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V

NTE5466 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V NTE5468 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V

Non–Repetitive Peak Reverse Voltage; Non–Repetitive Off–State Voltage, VRSM, VDSM		75V
NTE5461 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .	. . . . .
NTE5462 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .	. . . . .	. . . 125V
NTE5463 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .	. . . . .	. . . 250V
NTE5465 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .	. . . . .	. . . 500V
NTE5466 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .	. . . . .	. . . 700V
NTE5468 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .	. . . . .	. . . 900V
RMS Forward Current (All Conducting Angles, TC = +75° C), IT(RMS) . . . . . . . . . . . . .	. . . . .	. . . . 10A
Peak Forward Surge Current (1 Cycle, Sine Wave, 60Hz, TC = +80° C), ITSM . . . . . .	. . . . .	. . . 100A
Circuit Fusing Considerations (TJ = –65° to +100° C, t = 1 to 8.3ms), I2t . . . . . . . . . .	. . . . .	. . 40A2s
Forward Peak gate Power (t ≤ 10 s), PGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .	. . . . .	. . . 16W
Forward Average Gate Power, PG(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .	. . . . .	. 500mW
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .	–40°	to +100° C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .	–40°	to +150° C
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .	. . . . .	. . 2° C/W

Note 1. VDRM and VRRM for all types can be applied on a continuous DC basis without incurring damage. Ratings apply for zero or negative gate voltage. Devices shall not have a positive bias

applied to the gate concurrently with a negative potential on the anode.