MOTOROLA MC74HC164AF, MC74HC164AFEL, MC74HC164AFL1, MC74HC164AFL2, MC74HC164AFR1 Datasheet

...
Semiconductor Components Industries, LLC, 2000
March, 2000 – Rev. 1
1 Publication Order Number:
MC74HC164A/D
MC74HC164A
8-Bit Serial-Input/ Parallel-Output Shift Register
The MC74HC164A is identical in pinout to the LS164. The device inputs are compatible with standard CMOS outputs; with pullup resistors, they are compatible with LSTTL outputs.
The MC74HC164A is an 8–bit, serial–input to parallel–output shift register. Two serial data inputs, A1 and A2, are provided so that one input may be used as a data enable. Data is entered on each rising edge of the clock. The active–low asynchronous Reset overrides the Clock and Serial Data inputs.
Output Drive Capability: 10 LSTTL Loads
Outputs Directly Interface to CMOS, NMOS, and TTL
Operating Voltage Range: 2 to 6 V
Low Input Current: 1 µA
High Noise Immunity Characteristic of CMOS Devices
In Compliance with the Requirements Defined by JEDEC Standard
No. 7A
Chip Complexity: 244 FETs or 61 Equivalent Gates
LOGIC DIAGRAM
PIN 14 = V
CC
PIN 7 = GND
3
Q
A
4
5 6
10
11
12
13
Q
B
Q
C
Q
D
Q
E
Q
F
Q
G
Q
H
PARALLEL DATA OUTPUTS
9
RESET
CLOCK
8
SERIAL
DATA
INPUTS
A1 A2
1 2
DATA
FUNCTION TABLE
Inputs Outputs
Reset Clock A1 A2 QAQB… Q
H
LXXXLL… L H X X No Change HHDDQ
An
Q
Gn
HDHDQ
An
Q
Gn
D = data input QAn – QGn = data shifted from the preceding stage on a rising edge at the clock input.
Device Package Shipping
ORDERING INFORMATION
MC74HC164AN PDIP–14 2000 / Box MC74HC164AD SOIC–14
http://onsemi.com
55 / Rail
MC74HC164ADR2 SOIC–14 2500 / Reel
MARKING
DIAGRAMS
A = Assembly Location WL or L = Wafer Lot YY or Y = Year WW or W = Work Week
MC74HC164ADT TSSOP–14 96 / Rail MC74HC164ADTR2 TSSOP–14
2500 / Reel
TSSOP–14 DT SUFFIX
CASE 948G
HC
164A
ALYW
1
14
1
14
PDIP–14
N SUFFIX
CASE 646
MC74HC164AN
AWLYYWW
SOIC–14
D SUFFIX
CASE 751A
1
14
HC164A
AWLYWW
PIN ASSIGNMENT
11
12
13
14
8
9
105
4
3
2
1
7
6
Q
E
Q
F
Q
G
Q
H
V
CC
CLOCK
RESET
Q
B
Q
A
A2
A1
GND
Q
D
Q
C
MC74HC164A
http://onsemi.com
2
MAXIMUM RATINGS*
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
CC
DC Supply Voltage (Referenced to GND)
– 0.5 to + 7.0
V
V
in
DC Input Voltage (Referenced to GND)
– 0.5 to VCC + 0.5
V
V
out
DC Output Voltage (Referenced to GND)
– 0.5 to VCC + 0.5
V
I
in
DC Input Current, per Pin
± 20
mA
I
out
DC Output Current, per Pin
± 25
mA
I
CC
DC Supply Current, VCC and GND Pins
± 50
mA
ÎÎ
Î
P
D
ОООООООООООО
Î
Power Dissipation in Still Air, Plastic DIP†
SOIC Package†
TSSOP Package†
ÎÎÎ
Î
750 500 450
Î
Î
mW
T
stg
Storage Temperature
– 65 to + 150
_
C
ÎÎ
Î
T
L
ОООООООООООО
Î
Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds
(Plastic DIP, SOIC or TSSOP Package)
ÎÎÎ
Î
260
Î
Î
_
C
*Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may occur.
Functional operation should be restricted to the Recommended Operating Conditions.
†Derating — Plastic DIP: – 10 mW/_C from 65_ to 125_C
SOIC Package: – 7 mW/_C from 65_ to 125_C TSSOP Package: – 6.1 mW/_C from 65_ to 125_C
For high frequency or heavy load considerations, see Chapter 2 of the ON Semiconductor High–Speed CMOS Data Book (DL129/D).
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
Symbol
Parameter
Min
ÎÎ
Max
Unit
V
CC
DC Supply Voltage (Referenced to GND)
2.0
ÎÎ
6.0
V
Vin, V
out
DC Input Voltage, Output Voltage (Referenced to GND)
0
ÎÎ
V
CC
V
T
A
Operating Temperature, All Package Types
– 55
ÎÎ
+ 125
_
C
ÎÎ
Î
tr, t
f
ООООООООООООО
Î
Input Rise and Fall Time VCC = 2.0 V
(Figure 1) VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
Î
Î
0 0 0
ÎÎ
ÎÎ
1000
500 400
Î
Î
ns
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
Guaranteed Limit
ÎÎ
Î
Symbol
ООООООО
Î
Parameter
ООООООО
Î
Test Conditions
ÎÎ
Î
V
CC V
ÎÎ
Î
–55_C to
25_C
ÎÎÎ
Î
Î
Î
v
85_C
ÎÎ
Î
v
125_C
Î
Î
Unit
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
V
IH
ООООООО
Î
ООООООО
Î
Minimum High–Level Input Voltage
ООООООО
Î
ООООООО
Î
V
out
= 0.1 V or VCC – 0.1 V
|I
out
| v 20 µA
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
1.5
2.1
3.15
4.2
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
1.5
2.1
3.15
4.2
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
1.5
2.1
3.15
4.2
Î
Î
Î
Î
V
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
V
IL
ООООООО
Î
ООООООО
Î
Maximum Low–Level Input Voltage
ООООООО
Î
ООООООО
Î
V
out
= 0.1 V or VCC – 0.1 V
|I
out
| v 20 µA
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
0.5
0.9
1.35
1.8
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
0.5
0.9
1.35
1.8
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
0.5
0.9
1.35
1.8
Î
Î
Î
Î
V
ÎÎ
Î
V
OH
ООООООО
Î
Minimum High–Level Output Voltage
ООООООО
Î
Vin = VIH or V
IL
|I
out
| v 20 µA
ÎÎ
Î
2.0
4.5
6.0
ÎÎ
Î
1.9
4.4
5.9
ÎÎÎ
Î
Î
Î
1.9
4.4
5.9
ÎÎ
Î
1.9
4.4
5.9
Î
Î
V
ÎÎÎОООООООÎООООООО
Î
Vin = VIH or VIL|I
out
| v 2.4 mA
|I
out
| v 4.0 mA
|I
out
| v 5.2 mA
ÎÎ
Î
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
Î
2.48
3.98
5.48
ÎÎÎ
Î
Î
Î
2.34
3.84
5.34
ÎÎ
Î
2.20
3.70
5.20
Î
Î
This device contains protection circuitry to guard against damage due to high static voltages or electric fields. However, precautions must be taken to avoid applications of any voltage higher than maximum rated voltages to this high–impedance cir­cuit. For proper operation, Vin and V
out
should be constrained to the
range GND v (Vin or V
out
) v VCC.
Unused inputs must always be tied to an appropriate logic voltage level (e.g., either GND or VCC). Unused outputs must be left open.
MC74HC164A
http://onsemi.com
3
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
Unit
Guaranteed Limit
V
CC
V
Test Conditions
Parameter
Symbol
Unit
v
125_C
ÎÎÎ
v
85_C
–55_C to
25_C
V
CC
V
Test Conditions
Parameter
Symbol
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
V
OL
ООООООО
Î
ООООООО
Î
Maximum Low–Level Output Voltage
ООООООО
Î
ООООООО
Î
Vin = VIH or V
IL
|I
out
| v 20 µA
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
2.0
4.5
6.0
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
0.1
0.1
0.1
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
0.1
0.1
0.1
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
0.1
0.1
0.1
Î
Î
Î
Î
V
ÎÎÎОООООООÎООООООО
Î
Vin = VIH or VIL|I
out
| v 2.4 mA
|I
out
| v 4.0 mA
|I
out
| v 5.2 mA
ÎÎ
Î
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
Î
0.26
0.26
0.26
ÎÎÎ
Î
Î
Î
0.33
0.33
0.33
ÎÎ
Î
0.40
0.40
0.40
Î
Î
ÎÎ
Î
I
in
ООООООО
Î
Maximum Input Leakage Current
ООООООО
Î
Vin = VCC or GND
ÎÎ
Î
6.0
ÎÎ
Î
± 0.1
ÎÎÎ
Î
Î
Î
± 1.0
ÎÎ
Î
± 1.0
Î
Î
µA
I
CC
Maximum Quiescent Supply Current (per Package)
Vin = VCC or GND I
out
= 0 µA
6.0
4
ÎÎÎ
40
160
µA
NOTE: Information on typical parametric values can be found in Chapter 2 of the ON Semiconductor High–Speed CMOS Data Book
(DL129/D).
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (C
L
= 50 pF, Input tr = tf = 6 ns)
Guaranteed Limit
ÎÎÎ
Î
Symbol
ОООООООООООООО
Î
Parameter
ÎÎ
Î
V
CC V
ÎÎ
Î
–55_C to
25_C
ÎÎÎ
Î
Î
Î
v
85_C
ÎÎ
Î
v
125_C
Î
Î
Unit
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
f
max
ОООООООООООООО
Î
ОООООООООООООО
Î
Maximum Clock Frequency (50% Duty Cycle)
(Figures 1 and 4)
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
10 20 40 50
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
10 20 35 45
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
10 20 30 40
Î
Î
Î
Î
MHz
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
t
PLH
,
t
PHL
ОООООООООООООО
Î
ОООООООООООООО
Î
Maximum Propagation Delay, Clock to Q
(Figures 1 and 4)
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
160 100
32 27
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
200 150
40 34
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
250 200
48 42
Î
Î
Î
Î
ns
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
t
PHL
ОООООООООООООО
Î
ОООООООООООООО
Î
Maximum Propagation Delay, Reset to Q
(Figures 2 and 4)
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
175 100
35 30
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
220 150
44 37
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
260 200
53 45
Î
Î
Î
Î
ns
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
t
TLH
,
t
THL
ОООООООООООООО
Î
ОООООООООООООО
Î
Maximum Output Transition Time, Any Output
(Figures 1 and 4)
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
75 27 15 13
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
95 32 19 16
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
110
36 22 19
Î
Î
Î
Î
ns
C
in
Maximum Input Capacitance
10
ÎÎÎ
10
10
pF
NOTES:
1. For propagation delays with loads other than 50 pF, see Chapter 2 of the ON Semiconductor High–Speed CMOS Data Book (DL129/D).
2. Information on typical parametric values can be found in Chapter 2 of the ON Semiconductor High–Speed CMOS Data Book (DL129/D).
Typical @ 25°C, VCC = 5.0 V
C
PD
Power Dissipation Capacitance (Per Package)*
180
pF
*Used to determine the no–load dynamic power consumption: PD = CPD V
CC
2
f + ICC VCC. For load considerations, see Chapter 2 of the
ON Semiconductor High–Speed CMOS Data Book (DL129/D).
Loading...
+ 5 hidden pages