Siemens LHK376-RT, LHK376-R, LHK376-S, LHK376-QS Datasheet

Hyper ARGUS® LED
Hyper-Bright, 3 mm (T1), TS GaAIAs LED,
Non Diffused

Besondere Merkmale

● farbloses, klares Gehäuse

● Doppel-Heterostruktur in GaAlAs Technologie,

transparentes Substrat

● Kunststoffgehäuse mit spezieller Formgebung

● bei Einsatz eines äußeren Reflektors zur Hintergrundbe-

leuchtung von Leuchtfeldern und LCD-Anzeigen geeignet.

● zur Direkteinkopplung in Lichtleiterflächen geeignet

● gleichmäßige Ausleuchtung einer Streuscheibe (Weiß-

druck) vor dem äußeren Reflektor

● Lötspieße mit Aufsetzebene

● gegurtet lieferbar

● Störimpulsfest nach DIN 40839

LH K376

VEX06712

● Hinweis: Bei farbigen Streuscheiben muß die spektrale

Transmission an die von der LED emittierte Wellenlänge
angepaßt werden.

Features

● colorless, clear package

● double heterojunction in GaAIAs technology, transparent

substrate

● plasic package with a special design

● in connection with an additional, custom

built reflector suitable for backlighting of display panels

● for optical coupling into light pipes

● uniform illumination of a diffuser screen in front of the

custom built reflector

● solder leads with stand-off

● available taped on reel

● load dump resistant acc. to DIN 40839

● Note: If the diffuser screen is tinted, the spectral

transmission must be adjusted to the wavelength emitted
by the LED.

Semiconductor Group 1 11.96

LH K376

Typ
Type

LH K376-QS

Emissionsfarbe
Color of
Emission

Gehäusefarbe
Color of
Package

hyper-red colorless clear 63 ... 200
LH K376-R
LH K376-S
LH K376-RT

Streuung des Lichtstromes in einer Verpackungseinheit Φ
Luminous flux ratio in one packaging unit Φ

V max

/ Φ

V min

≤ 2.0.

Grenzwerte
Maximum Ratings

Bezeichnung
Parameter

Symbol
Symbol

Lichtstrom
Luminous Flux

I

= 20 mA

F

ΦV (mlm)

100 ... 200
160 ... 320
100 ... 500

V max

/ Φ

V min

≤ 2.0.

Werte
Values

Bestellnummer
Ordering Code

Q62703-Q3492
Q62703-Q3304
Q62703-Q3305
Q62703-Q3493

Einheit
Unit

Betriebstemperatur
Operating temperature range

Lagertemperatur
Storage temperature range

Sperrschichttemperatur
Junction temperature

Durchlaßstrom
Forward current

Stoßstrom
Surge current

t ≤ 10 µs, D = 0.005

Sperrspannung
Reverse voltage

Verlustleistung
Power dissipation

T

≤ 25 ˚C

A

Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Luft
Junction / air

T

op

T

stg

T

j

I

F

I

FM

V

R

P

tot

R

th JA

–55…+100 ˚C

–55…+100 ˚C

+ 100 ˚C

50 mA

0.5 A

3V

130 mW

500 K/W

Semiconductor Group 2