Siemens LHK376-RT, LHK376-R, LHK376-S, LHK376-QS Datasheet

Hyper ARGUS® LED Hyper-Bright, 3 mm (T1), TS GaAIAs LED, Non Diffused

Besondere Merkmale

● farbloses, klares Gehäuse

● Doppel-Heterostruktur in GaAlAs Technologie,

transparentes Substrat

● Kunststoffgehäuse mit spezieller Formgebung

● bei Einsatz eines äußeren Reflektors zur Hintergrundbe-

leuchtung von Leuchtfeldern und LCD-Anzeigen geeignet.

● zur Direkteinkopplung in Lichtleiterflächen geeignet

● gleichmäßige Ausleuchtung einer Streuscheibe (Weiß-

druck) vor dem äußeren Reflektor

● Lötspieße mit Aufsetzebene

● gegurtet lieferbar

● Störimpulsfest nach DIN 40839

LH K376

VEX06712

● Hinweis: Bei farbigen Streuscheiben muß die spektrale

Transmission an die von der LED emittierte Wellenlänge angepaßt werden.

Features

● colorless, clear package

● double heterojunction in GaAIAs technology, transparent

substrate

● plasic package with a special design

● in connection with an additional, custom

built reflector suitable for backlighting of display panels

● for optical coupling into light pipes

● uniform illumination of a diffuser screen in front of the

custom built reflector

● solder leads with stand-off

● available taped on reel

● load dump resistant acc. to DIN 40839

● Note: If the diffuser screen is tinted, the spectral

transmission must be adjusted to the wavelength emitted by the LED.

Semiconductor Group 1 11.96

LH K376

Typ Type

LH K376-QS

Emissionsfarbe Color of Emission

Gehäusefarbe Color of Package

hyper-red colorless clear 63 ... 200 LH K376-R LH K376-S LH K376-RT

Streuung des Lichtstromes in einer Verpackungseinheit Φ Luminous flux ratio in one packaging unit Φ

V max

/ Φ

V min

≤ 2.0.

Grenzwerte Maximum Ratings

Bezeichnung Parameter

Symbol Symbol

Lichtstrom Luminous Flux

= 20 mA

ΦV (mlm)

100 ... 200 160 ... 320 100 ... 500

V max

/ Φ

V min

≤ 2.0.

Werte Values

Bestellnummer Ordering Code

Q62703-Q3492 Q62703-Q3304 Q62703-Q3305 Q62703-Q3493

Einheit Unit

Betriebstemperatur Operating temperature range

Lagertemperatur Storage temperature range

Sperrschichttemperatur Junction temperature

Durchlaßstrom Forward current

Stoßstrom Surge current

t ≤ 10 µs, D = 0.005

Sperrspannung Reverse voltage

Verlustleistung Power dissipation

≤ 25 ˚C

Wärmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Luft Junction / air

stg

tot

th JA

–55…+100 ˚C

+ 100 ˚C

50 mA

0.5 A

130 mW

500 K/W

Semiconductor Group 2

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