Siemens LH K376 Technical data

查询Q62703-Q3304供应商

Hyper ARGUS® LED
Hyper-Bright, 3 mm (T1), TS GaAIAs LED,
Non Diffused

Besondere Merkmale

● farbloses, klares Gehäuse

● Doppel-Heterostruktur in GaAlAs Technologie,

transparentes Substrat

● Kunststoffgehäuse mit spezieller Formgebung

● bei Einsatz eines äußeren Reflektors zur Hintergrundbe-

leuchtung von Leuchtfeldern und LCD-Anzeigen geeignet.

● zur Direkteinkopplung in Lichtleiterflächen geeignet

● gleichmäßige Ausleuchtung einer Streuscheibe (Weiß-

druck) vor dem äußeren Reflektor

● Lötspieße mit Aufsetzebene

● gegurtet lieferbar

● Störimpulsfest nach DIN 40839

LH K376

VEX06712

● Hinweis: Bei farbigen Streuscheiben muß die spektrale

Transmission an die von der LED emittierte Wellenlänge
angepaßt werden.

Features

● colorless, clear package

● double heterojunction in GaAIAs technology, transparent

substrate

● plasic package with a special design

● in connection with an additional, custom

built reflector suitable for backlighting of display panels

● for optical coupling into light pipes

● uniform illumination of a diffuser screen in front of the

custom built reflector

● solder leads with stand-off

● available taped on reel

● load dump resistant acc. to DIN 40839

● Note: If the diffuser screen is tinted, the spectral

transmission must be adjusted to the wavelength emitted
by the LED.

Semiconductor Group 1 11.96

LH K376

Typ
Type

LH K376-QS

Emissionsfarbe
Color of
Emission

Gehäusefarbe
Color of
Package

hyper-red colorless clear 63 ... 200
LH K376-R
LH K376-S
LH K376-RT

Streuung des Lichtstromes in einer Verpackungseinheit Φ
Luminous flux ratio in one packaging unit Φ

V max

/ Φ

V min

≤ 2.0.

Grenzwerte
Maximum Ratings

Bezeichnung
Parameter

Symbol
Symbol

Lichtstrom
Luminous Flux

I

= 20 mA

F

ΦV (mlm)

100 ... 200
160 ... 320
100 ... 500

V max

/ Φ

V min

≤ 2.0.

Werte
Values

Bestellnummer
Ordering Code

Q62703-Q3492
Q62703-Q3304
Q62703-Q3305
Q62703-Q3493

Einheit
Unit

Betriebstemperatur
Operating temperature range

Lagertemperatur
Storage temperature range

Sperrschichttemperatur
Junction temperature

Durchlaßstrom
Forward current

Stoßstrom
Surge current

t ≤ 10 µs, D = 0.005

Sperrspannung
Reverse voltage

Verlustleistung
Power dissipation

T

≤ 25 ˚C

A

Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Luft
Junction / air

T

op

T

stg

T

j

I

F

I

FM

V

R

P

tot

R

th JA

–55…+100 ˚C

–55…+100 ˚C

+ 100 ˚C

50 mA

0.5 A

3V

130 mW

500 K/W

Semiconductor Group 2

Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics

LH K376

Bezeichnung
Parameter

Wellenlänge des emittierten Lichtes (typ.)
Wavelength at peak emission (typ.)

I

= 20 mA

F

Dominantwellenlänge (typ.)
Dominant wavelength (typ.)

I

= 20 mA

F

Spektrale Bandbreite bei 50 %
Spectral bandwidth at 50 % I

I

= 20 mA

F

I

rel max

rel max

(typ.)
(typ.)

Durchlaßspannung (typ.)
Forward voltage (max.)

I

= 20 mA

F

Sperrstrom (typ.)
Reverse current (max.)

V

= 3 V

R

Kapazität (typ.)
Capacitance

V

= 0 V, f = 1 MHz

R

Schaltzeiten:
Switching times:

I

from 10 % to 90 % (typ.)

V

I

from 90 % to 10 % (typ.)

V

I

= 100 mA, tP = 10 µs, RL = 50 Ω

F

Temperaturkoeffizient von I

bzw. Φv,

v

IF = 50 mA (typ.)

Temperature coefficient of Iv or Φv,

IF = 50 mA (typ.)

Symbol
Symbol

λ

peak

λ

dom

Werte
Values

Einheit
Unit

660 nm

645 nm

∆λ 22 nm

V
V

I

R

I

R

C

t

r

t

f

TC

F
F

0

I

1.85

2.3

0.01
10

V
V

µA
µA

30 pF

100
100

ns
ns

– 0.4 %/K

Temperaturkoeffizient von V

, IF = 50 mA (typ.)

F

Temperature coefficient of VF, IF = 50 mA (typ.)
Temperaturkoeffizient von λ

Temperature coefficient of λ

, IF = 50 mA (typ.)

peak

, IF = 50 mA (typ.)

peak

Semiconductor Group 3

TC

TC

V

λ

– 3 mV/K

+ 0.16 nm/K