Siemens LH3364-N, LH3364-MQ, LH3364-M, LH3364-LP Datasheet

3 mm (T1) LED, Diffused Super-Bright, Hyper-Red GaAIAs-LED 

Besondere Merkmale

● eingefärbtes, diffuses Gehäuse

● Doppel-Heterostruktur in GaAlAs Technologie

● besonders hohe Lichtstärke

● Lötspieße mit Aufsetzebene

● gegurtet lieferbar

● Störimpulsfest nach DIN 40839

Features

● colored, diffused package

● double heterojunction in GaAIAs technology

● especially high luminous intensity

● solder leads with stand-off

● available taped on reel

● load dump resistant acc. to DIN 40839

LH 3364

VEX06711

Typ Type

LH 3364-LP

Emissionsfarbe Color of Emission

Gehäusefarbe Color of Package

hyper-red red diffused 10 ... 80 LH 3364-M LH 3364-N LH 3364-MQ

Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit I Luminous intensity ratio in one packaging unit I

V max

/ I

V max

V min

≤ 2.0.

Lichtstärke Luminous Intensity

I

= 10 mA

F

I

(mcd)

V

16 ... 32 25 ... 50 16 ... 125

/ I

V min

≤ 2.0.

Bestellnummer Ordering Code

Q62703-Q3202 Q62703-Q3203 Q62703-Q2798 Q62703-Q3201

Semiconductor Group 1 11.96

Grenzwerte Maximum Ratings

LH 3364

Bezeichnung Parameter

Betriebstemperatur Operating temperature range

Lagertemperatur Storage temperature range

Sperrschichttemperatur Junction temperature

Durchlaßstrom Forward current

Stoßstrom Surge current

t ≤ 10 µs, D = 0.005

Sperrspannung Reverse voltage

Verlustleistung Power dissipation

T

≤ 25 ˚C

A

Wärmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Luft Junction / air

Symbol Symbol

T

op

T

stg

T

j

I

F

I

FM

V

R

P

tot

R

th JA

Werte Values

Einheit Unit

–55…+100 ˚C

+ 100 ˚C

40 mA

0.5 A

3V

120 mW

400 K/W

Semiconductor Group 2

Kennwerte (TA = 25 ˚C) Characteristics

LH 3364

Bezeichnung Parameter

Wellenlänge des emittierten Lichtes (typ.) Wavelength at peak emission (typ.)

I

= 20 mA

F

Dominantwellenlänge (typ.) Dominant wavelength (typ.)

I

= 20 mA

F

Spektrale Bandbreite bei 50 % Spectral bandwidth at 50 % I

I

= 20 mA

F

Abstrahlwinkel bei 50 % Viewing angle at 50 % I

I

V

I

rel max

(Vollwinkel)

V

(typ.) (typ.)

Durchlaßspannung (typ.) Forward voltage (max.)

I

= 10 mA

F

Sperrstrom (typ.) Reverse current (max.)

V

= 3 V

R

Kapazität (typ.) Capacitance

V

= 0 V, f = 1 MHz

R

Schaltzeiten: Switching times:

I

from 10 % to 90 % (typ.)

V

I

from 90 % to 10 % (typ.)

V

I

= 100 mA, tP = 10 µs, RL = 50 Ω

F

Symbol Symbol

λ

peak

λ

dom

Werte Values

Einheit Unit

660 nm

645 nm

∆λ 22 nm

2ϕ 45 Grad

deg.

V V

I I

C

t t

F F

R R

0

r f

1.75

2.6

0.01 10

V V

µA µA

25 pF

140 110

ns ns

Semiconductor Group 3