Datasheet TZ150N Datasheet (eupec)

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N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor
Kenndaten
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Elektrische Eigenschaften
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung repetitive peak forward off-state and reverse voltages
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state voltage
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert surge current
Grenzlastintegral I²t-value
Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage
Module
TZ150N
TZ150N
T
= -40°C... T
vj
Tvj = -40°C... T
Tvj = +25°C... T
TC = 85°C T
= 54°C
C
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms T
= T
vj
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms T
= T
vj
DIN IEC 747-6 f = 50 Hz, i
Tvj = T
6.Kennbuchstabe / 6
6.Kennbuchstabe / 6
vj max
vj max
vj max
, tP = 10 ms
vj max
, tP = 10 ms
vj max
= 1 A, diG/dt = 1 A/µs
GM
, vD = 0,67 V
vj max
DRM
th
letter C
th
letter F
V
DRM,VRRM
V
DSM
V
RSM
I
TRMSM
I
TAVM
I
TSM
I²t
/dt)
(di
T
/dt)
(dv
D
2000 2400
2000 2400
2100 2500
2200 2600VV
2200 2600VV
2300 2700VV
350 A
150 223AA
4500 4000AA
101000
cr
cr
80000
60 A/µs
500
1000
A²s A²s
V/µs V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung on-state voltage
Schleusenspannung threshold voltage
Ersatzwiderstand slope resistance
Zündstrom gate trigger current
Zündspannung gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage
Haltestrom holding current
Einraststrom latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse current
Zündverzug gate controlled delay time
Tvj = T
Tvj = T
Tvj = T
, iT = 600 A v
vj max
vj max
vj max
Tvj = 25°C, vD = 6 V I
Tvj = 25°C, vD = 6 V V
Tvj = T T
vj
Tvj = T
= T
, vD = 6 V
vj max
, vD = 0,5 V
vj max
, vD = 0,5 V
vj max
DRM
DRM
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RA = 5 I
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RGK 10 i
= 1 A, diG/dt = 1 A/µs, tg = 20 µs
GM
Tvj = T
vj max
vD = V
DRM
, vR = V
RRM
DIN IEC 747-6 T
= 25 °C,iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
vj
V
r
T
GT
I
GD
V
H
I
L
iD, i
t
gd
T
(TO)
GT
GD
max.
2,6 V
1,2 V
2,3 m
max.
max.
max. max.
200 mA
2V
105mA
mA
max. 0,2 V
max. 300 mA
max. 1200 mA
R
max. 50 mA
max. 4 µs
prepared by:
C.Drilling date of publication: 10.07.02
approved by: J. Novotny
BIP AC / Warstein,den 19.09.85 Tscharn
A513E23
revision: 2
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N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time
Isolations-Prüfspannung insulation test voltage
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Thermische Eigenschaften
Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature
Betriebstemperatur operating temperature
Lagertemperatur storage temperature
Module
TZ150N
T
= T
vj max
, iTM = I
TAVM
DRM
th
letter O
vj
vRM = 100 V, vDM = 0,67 V dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
5.Kennbuchstabe / 5
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec
pro Modul / per Module, Θ = 180° sin pro Modul / per Module, DC
pro Modul / per Module pro Zweig / per arm
t
V
R
R
T
T
T
q
thJC
thCH
vj max
c op
stg
ISOL
typ. 300 µs
3,0 3,6
max. max.
max.
0,130 0,124
0,04
125
-40...+125 °C
-40...+130 °C
kV kV
°C/W °C/W
°C/W
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Mechanische Eigenschaften
Gehäuse, siehe Anlage case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation internal insulation
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse mounting torque
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse terminal connection torque
Steueranschlüsse control terminals
Gewicht weight
Kriechstrecke creepage distance
Schwingfestigkeit vibration resistance
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AlN
Toleranz / Tolerance ± 15% M1 5 Nm
Toleranz / Tolerance ± 10% M2 12 Nm
DIN 46 244 A 2,8 x 0,8
G typ. 900 g
15 mm
f = 50 Hz 50 m/s²
file-No. E 83336
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Es gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
BIP AC / Warstein,den 19.09.85 Tscharn
A513E23
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Page 3
N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor
Maßbild
Maßbild
Maßbild
Module
TZ150N
21
45
TZ
BIP AC / Warstein,den 19.09.85 Tscharn
A513E23
Seite/page
Page 4
N
S
=
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor
R,TWerte Di
R,T-Werte
Pos. n1234567
R
[°C/W] 0,0031 0,0097 0,0257 0,0429 0,0426
thn
τn [s] 0,0009 0,0080 0,1100 0,6100 3,0600
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
Analytische Funktion / Analytical function:
Module
Analytical elements of transient thermal impedance Z
TZ150N
=
thJC
n
max
S
n=1
für DC
thJC
for DC
thnthJC
– t
t
n
- e1RZ
Luftselbstkühlung / Natural cooling
3 Module pro Kühlkörper / 3 modules per heatsink
Kühlkörper / Heatsink type: KM17
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
Analytical elements of transient thermal impedance Z
Pos. n1234567
R
[°C/W] 0,7960 0,0050 0,0410
thn
τn [s] 1420 912 12
Verstärkte Kühlung / Forced cooling
3 Module pro Kühlkörper / 3 modules per heatsink
Kühlkörper / Heatsink type: KM17
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
Analytical elements of transient thermal impedance Z
Pos. n1234567
R
[°C/W] 0,2390 0,0435 0,0075
thn
τn [s] 497 31,8 6,4
(90W)
thCA
thCA
(Papst 4650N)
thCA
thCA
Analytische Funktion / Analytical function:
BIP AC / Warstein,den 19.09.85 Tscharn
A513E23
n
max
n=1
thnthCA
– t
t
n
- e1RZ
Seite/page
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N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor
Diagramme
0,150
0,100
0,050
0,000
0,01 0,1 1 10 100
Module
TZ150N
Trans. Wärmewiderstand bei Sinus
0
180°
t [s]
Θ =
30° 60°
90° 120° 180°
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm Z
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
thJC
Trans. Wärmewiderstand bei Rechteck
0,150
0,100
0,050
0,000
0,001 0,01 0,1 1 10 100
0
180°
t [s]
= f(t)
Θ =
30° 60°
90° 120° 180° DC
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm Z
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
BIP AC / Warstein,den 19.09.85 Tscharn
A513E23
= f(t)
thJC
Seite/page
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N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor
600
Diagramme
500
400
300
200
100
0
0 50 100 150 200 250
Module
TZ150N
Durchgangsverluste bei Sinus
0
180°
Q
= 30°
I
TAV
60°
[A]
180°
120°
90°
800
600
400
200
Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm P
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechnungsgrundlage P
Calculation base P
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ
(switching losses should be considered separately)
TAV
(Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
TAV
TAV
= f(I
Durchgangsverluste bei Rechteck
= 30°
180°
180°
120°
90°
60°
0
Q
TAV
)
DC
0
0 100 200 300 400
Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm P
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechnungsgrundlage P
Calculation base P
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ
BIP AC / Warstein,den 19.09.85 Tscharn
I
[A]
TAV
TAV
(Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
TAV
(switching losses should be considered separately)
TAV
A513E23
= f(I
)
TAV
Seite/page
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N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor
120
100
80
60
40
20
0 50 100 150 200 250
Module
TZ150N
Gehäusetemperatur bei Sinus
Q
= 30°
60°
I
TAVM
[A]
90°
120°
0
180°
180°
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(I
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechnungsgrundlage P
Calculation base P
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
(switching losses should be considered separately)
TAV
(Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
TAV
TAVM
)
Gehäusetemperatur bei Rechteck
120
[A]
0
DC
100
80
60
40
Q
= 30°
60° 90° 120° 180°
20
0 100 200 300 400
I
TAVM
180°
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(I
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechnungsgrundlage P
Calculation base P
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
BIP AC / Warstein,den 19.09.85 Tscharn
(Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
TAV
(switching losses should be considered separately)
TAV
A513E23
)
TAVM
Seite/page
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N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor
0,015
2000
1500
1000
500
0,020
0,030
0,040 0,050
0,060
0,080 0,100 0,120 0,150 0,200
0,250 0,350
0
0 20406080100120
B2
I
D
TZ150N
+
Module
R
[°C/W]
thCA
Maximaler Strom bei B2 und B6
~
-
[°C]
T
A
0 100 200 300 400 500
I
D
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I
B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit
R-Last R-load
L-Last L-load
[A]
D
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P
Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient R
2500
2000
1500
1000
500
0,020
0,030
0,040
0,050
0,060
0,080 0,100
0,150 0,200 0,250 0,350
0
0 20406080100120
0,015
R
[°C/W]
thCA
3~
T
[°C]
A
I
B6
D
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I
tot
+
-
0 100 200 300 400 500
[A]
I
D
D
thCA
B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient R
BIP AC / Warstein,den 19.09.85 Tscharn
A513E23
Parameter:
tot
Seite/page
thCA
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N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor
1200
0,03
1000
800
600
400
200
0,04
0,05
0,06
0,08
0,10 0,12
0,15 0,20
0,25 0,35 0,50 0,80
0
0 20406080100120
Module
TZ150N
W 1C
R
[°C/W]
Maximaler Strom bei W1C und W3C
thCA
~
I
RMS
~
T
[°C]
A
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current I
0 100 200 300 400 500
I
[A]
RMS
RMS
W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P
Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäuse und Umgebung / Thermal resistance case to ambient R
2500
2000
1500
1000
500
0,02
0,03
0,04
0,05
0,06
0,08 0,10 0,12 0,15
0,20 0,25
0,40
0
0 20406080100120
R
[°C/W]
thCA
[°C]
T
A
3C
W
~
~
~
~
I
RMS
~
~
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current I
tot
thCA
0 100 200 300 400
I
[A]
RMS
RMS
W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient R
BIP AC / Warstein,den 19.09.85 Tscharn
A513E23
Parameter:
tot
Seite/page
thCA
Page 10
N
a
c
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor
100
10
1
0,1
10 100 1000 10000 100000
Module
TZ150N
Steuercharakteristik
[mA]
i
G
b
1000
100
10
Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 6 V
Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 6 V
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation P
a - 40 W/10ms b - 80 W/1ms c - 100 W/0,5ms d – 150 W/0,1ms
= f (tg) :
GM
Zündverzug
a
b
1
0,1
[mA]
10 100 1000 10000
Zündverzug / Gate controlled delay time tgd = f(iG)
T
= 25°C, diG/dt = iGM/1µs
vj
a - maximaler Verlauf / Limiting characteristic
b - typischer Verlauf / Typical characteristic
BIP AC / Warstein,den 19.09.85 Tscharn
A513E23
i
GM
Seite/page
10/12
Page 11
N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor
10000
1000
100
1 10 100
Module
TZ150N
Sperrverzögerungsladung
iTM = 1000A
500A 200A 100A
50A
20A
-di/dt [A/µs]
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)
Tvj = T
Parameter: Durchlaßstrom / On-state current i
3.500
3.000
, vR 0,5 V
vjmax
, vRM = 0,8 V
RRM
Grenzstrom
a
RRM
TM
TA = 35 °C
2.500
2.000
1.500
b
TA = 45 °C
1.000
500
0
0,01 0,1 1
t [s]
Grenzstrom / Maximum overload on-state current I
a: T
A
= 45°C, natürliche Luftkühlung / Natural air cooling
b:
TA
BIP AC / Warstein,den 19.09.85 Tscharn
= f(t), vRM = 0,8 V
T(OV)M
Leerlauf / No-load conditions
= 35°C, Luftselbstkühlung / Forced air cooling
A513E23
RRM
Seite/page
11/12
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N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor
2.000
1.500
1.000
500
0
0,01 0,1 1 10 100 1000 10000
Module
TZ150N
Überstrom
I
=
TAV (vor)
0 A 20 A 30 A 40 A 45 A 50 A
t [s]
Überstrom je Zweig / Overload on-state current I
B6- Sechspuls-Brückenschaltung, 120° Rechteck / Six-pulse bridge circuit, 120° rectangular
Kühlkörper / Heatsink type KM17
Parameter: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm I
(90W) Luftselbstkühlung bei / Natural cooling at T
T(OV)
TAV(vor)
= 45°C
A
2.000
I
=
TAV (vor)
0 A 50 A
1.500
70 A 90 A 100 A 110 A
1.000
500
0
0,01 0,1 1 10 100 1000 10000
t [s]
Überstrom je Zweig / Overload on-state current I
B6- Sechspuls-Brückenschaltung, 120° Rechteck / Six-pulse bridge circuit, 120° rectangular
Kühlkörper / Heatsink type KM17
Parameter: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm I
BIP AC / Warstein,den 19.09.85 Tscharn
T(OV)
(Papst 4650N) Verstärkte Kühlung bei / Forced cooling at T
TAV(vor)
A513E23
Seite/page
= 35°C
A
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