Datasheet LAE675-U2, LAE675-U1, LAE675-T2, LAE675-T1, LAE675-S2 Datasheet (Siemens)

Power TOPLED

®

Hyper-Bright LED

Besondere Merkmale

• Gehäusebauform: P-LCC-4

• Gehäusefarbe: weiß

• als optischer Indikator einsetzbar

• zur Hintergrundbeleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung

• für alle SMT-Bestücktechniken geeignet

• gegurtet (8 mm-Filmgurt)

• JEDEC Level 3

• nur IR Reflow Löten

Features

• P-LCC-4 package

• color of package: white

• for use as optical indicator

• for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses

• suitable for all SMT assembly methods

• available taped on reel (8 mm tape)

• JEDEC Level 3

• IR reflow soldering only

LA E675

VPL06837

Typ

Emissionsfarbe

Farbe der Lichtaustritts-

Lichtstärke

Lichtstrom

fläche

/ I

V min

Luminous Flux

= 50 mA

I

F

(mlm)

Φ

V

600 (typ.) 750 (typ.) 900 (typ.) 1200 (typ.) 1500 (typ.) 1800 (typ.)

≤ 1.6.

Type

LA E675 LA E675-S1 LA E675-S2 LA E675-T1 LA E675-T2 LA E675-U1 LA E675-U2

Color of Emission

Color of the Light Emitting Area

amber colorless clear

Luminous Intensity

= 50 mA

I

F

(mcd)

I

V

160 ... 250 200 ... 320 250 ... 400 320 ... 500 400 ... 630 500 ... 800

Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit I

/

Luminous intensity ratio in one packaging unit

I

V max

I

V max

V min

≤ 1.6.

Helligkeitswerte werden bei einer Strompulsdauer von 25 ms spezifiziert. Luminous intensity is specified at a current pulse duration of 25 ms.

Bestellnummer

Ordering Code

Q62703-Q3764

Semiconductor Group 1 1998-11-05

Grenzwerte Maximum Ratings

LA E675

Bezeichnung Parameter

Betriebstemperatur Operating temperature range

Lagertemperatur Storage temperature range

Sperrschichttemperatur Junction temperature

Durchlaßstrom Forward current

Sperrspanung Reverse voltage

1)

Verlustleistung Power dissipation

≤ 25 °C

T

A

Wärmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Umgebung Junction / air

)

Montage auf PC-board* mounted on PC board*

(Padgröße ≥ 12 mm2)

)

(pad size ≥ 12 mm2)

Symbol Symbol

T

op

T

stg

T

j

I

F

V

R

P

tot

R

th JA

Werte

Values

Einheit Unit

– 40 ... + 100 °C

+ 120 °C

70 mA

3V

130 mW

290 K/W

1)

Belastung in Sperrichtung sollte vermieden werden.

1)

Reverse biasing should be avoided.

)

PC-board: FR4

*

Semiconductor Group 2 1998-11-05

LA E675

Kennwerte ( Characteristics

= 25 °C)

T

A

Bezeichnung Parameter

Wellenlänge des emittierten Lichtes Wavelength at peak emission

I

= 50 mA

F

Dominantwellenlänge Dominant wavelength

I

= 50 mA

F

Spektrale Bandbreite bei 50% Spectral bandwidth at 50%

= 50 mA

I

F

Abstrahlwinkel bei 50% Viewing angle at 50%

Durchlaßspannung Forward voltage

I

= 50 mA

F

1)

I

v

1)

I

rel max

I

rel max

(Vollwinkel)

v

Sperrstrom Reverse current

= 3 V

V

R

Temperaturkoeffizient von Temperature coefficient of

Temperaturkoeffizient von λ Temperature coefficient of λ

Temperaturkoeffizient von Temperature coefficient of

(

= 50 mA)

I

λ

dom

F

(

I

λ

V V

I I

= 50 mA)

dom

F

(IF = 50 mA)

peak

(IF = 50 mA)

peak

(I

= 50 mA)

F

(I

= 50 mA)

F

(I

= 50 mA)

V

F

(I

= 50 mA)

V

F

Symbol Symbol

Werte

Values

Einheit Unit

min. typ. max.

λ

peak

λ

dom

∆

λ

– 624 – nm

612 617 623 nm

–18–nm

2ϕ – 120 – Grad

deg.

V

I

R

TC

F

λ

V

I

V

– 2.1 2.55 V

– 0.01 10 µA

– 0.05 – nm/K

– 0.14 – nm/K

– – 2.1 – mV/K

–– 0.6–%/K

1)

Durchlaßspannungsgruppen Forward voltage groups

Gruppe Group

Durchlaßspannung

Forward voltage

Einheit Unit

min. max.

1 2

1.85 2.25 V

2.15 2.55 V

Semiconductor Group 3 1998-11-05

LA E675

Relative spektrale Emission I

= f (λ),

rel

Relative spectral emission

V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit

Standard eye response curve

100

%

Ι

rel

80

60

40

20

= 25 °C,

T

A

V

λ

= 50 mA

I

F

OHL00436

amber

0

400

Abstrahlcharakteristik

450 500 550 600 650 700nm

= f (ϕ)

I

rel

Radiation characteristic

50˚

60˚

70˚

80˚

90˚

λ

0˚10˚20˚40˚ 30˚

ϕ

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

OHL01660

100˚

1.0 0.8 0.6 0.4

0˚ 20˚ 40˚ 60˚ 80˚ 100˚ 120˚

Semiconductor Group 4 1998-11-05

LA E675

Durchlaßstrom Forward current

10

mA

2

5

T

= 25 °C

A

Ι

F

1

10

5

0

10

5

-1

10

1.0

1.4 1.8 2.2 2.6 3.0 V 3.4

I

F

= f (

)

V

F

Relative Lichtstärke

I

V/IV(50 mA)

= f (

)

I

F

Relative luminous intensity

1

10

V

OHL00437

OHL00232

= 25 °C

T

A

Ι

V (50 mA)

0

10

5

-1

10

5

-2

10

5

-3

10

-1

10

V

F

0

10

55mA

10

1

Ι

2

10

F

Maximal zulässiger Durchlaßstrom Max. permissible forward current

I

= f (

F

)

T

A

100

mA

Ι

F

80

60

40

20

0

0 20 40 60 80 C 100

OHL00438

T

A

Semiconductor Group 5 1998-11-05

Maßzeichnung (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben) Package Outlines (Dimensions in mm, unless otherwise specified)

3.0

3.4

2.6

2.3

2.1

0.8

0.6 AC

3.0

(2.4)

0.1 typ

3.3

3.7

2.1

1.7

0.9

0.7

LA E675

package marking

CC

A: Anode C: Cathode

1.1

0.18

0.12

0.5

Empfehlung Lötpaddesign Infrarot/Vapor-Phase Reflow-Lötung Recommended Pad Infrared Vapor-Phase Reflow-Soldering

3.3 3.3

0.4

2.6

1.1

0.6

0.4

GPL06991

0.5

4.2

7.5

1.85

Padgeometrie für verbesserte Wärmeableitung

Paddesign for improved heat dissipation

Lötstoplack solder resist = 12 mm per pad

Cu Fläche / Cu-area

2

Semiconductor Group 6 1998-11-05

OHLP0439

Gurtung Taping

LA E675

CC

AC

OHA00440

Semiconductor Group 7 1998-11-05