TOSHIBA TLP665GS Technical data
東芝フォトカプラ 赤外LED +フォトトライアック
TLP665G(S)
○ 事務機器
○ 家庭内機器
○ トライアックドライバ
○ ソリッドステートリレー
TLP665G (S) はフォトトライアックと GaAs 赤外発光ダイオードを光結
合させた 6PIN DIP のフォトカプラです。
z せん頭阻止電圧 : 400 V (最小)
z トリガ LED 電流 : 10 mA (最大)
z 実効オン電流 : 100 mA (最大)
z UL 認定品 : UL1577、ファイル No. E67349
z BSI 認定品 : BS EN60065:2002、認定 No.8385
BS EN60950-1:2002、認定 No.8386
z 絶縁耐圧 : 5000 Vrms (最小)
z オプション (D4) タイプ
VDE 認定品 : DIN EN 60747-5-2
認定 No. 40009302
最大許容動作絶縁電圧 : 890 Vpk
最大許容過電圧 : 8000 Vpk
JEDEC ―
JEITA ―
東芝 11−7A9
質量: 0.39 g (標準)
TLP665G(S)
単位: mm
注: EN60747-5-2 認定品を採用する場合は“オプション (D4) 品”とご指定ください。
z 構造パラメータ
沿面距離
空間距離
絶縁物厚
7.62 mm ピッチ
標準タイプ
7.0 mm (最小)
7.0 mm (最小)
0.5 mm (最小)
10.16 mm ピッチ
TLP×××F タイプ
8.0 mm (最小)
8.0 mm (最小)
0.5 mm (最小)
ピン接続図
1
2007-10-01
TLP665G(S)
絶対最大定格
直流順電流 I
発
直流順電流低減率 (Ta≧53℃) ΔIF /℃ −0.7 mA /℃
光
パルス順電流
側
(100μs パルス、100 pps)
直流逆電圧 VR 5 V
せん頭阻止電圧 V
実効オン電流
受
実効オン電流低減率 (Ta≧25℃) ΔIT /℃ −1.1 mA /℃
光
パルスオン電流
側
(100μs パルス、120 pps)
せん頭 1 サイクルサージ電流
(PW = 10 ms、DC = 10%)
接合部温度 T
保存温度 T
動作温度 T
はんだ付け温度 (10 秒) T
絶縁耐圧
(AC、1 分、R.H.≦60%) (注 1)
(Ta = 25℃)
項目 記号 定格 単位
Ta = 25℃ 100
Ta = 70℃
50 mA
F
1 A
I
FP
400 V
DRM
IT
(RMS)
2 A
I
TP
1.2 A
I
TSM
115 ℃
j
−55～125 ℃
stg
−40～100 ℃
opr
260 ℃
sol
5000 Vrms
BV
S
50
mA
注: 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内での使用においても、高負荷 (高温および大電
流/高電圧印加、多大な温度変化等) で連続して使用される場合は、信頼性が著しく低下するおそれがあります。
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) およ
び個別信頼性情報 (信頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の上、適切な信頼性設計をお願いします。
注 1: ピン 1、2、3 とピン 4、6 をそれぞれ一括し、電圧を印加する。
推奨動作条件
項目 記号 最小 標準 最大 単位
使用電圧 VAC ― ― 120 Vac
順電流 I
パルスオン電流 ITP ― ― 1 A
動作温度 T
注: 推奨動作条件は、期待される性能を得るための設計指標です。また、各項目はそれぞれ独立した指標となってお
りますので、設計の際は電気的特性などで規定された値も合わせてご確認願います。
15 20 25 mA
F
−25 ― 85 ℃
opr
2
2007-10-01
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